[发明专利]一种鳍式场效应管及其形成方法

权利要求书

1.一种鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S01：提供一半导体基体，并对所述半导体基体进行图案化刻蚀，以形成具有鳍形结构的半导体基体；

步骤S02：在具有鳍形结构的半导体基体上依次形成氧化物层以及氮化物层；

步骤S03：对所述氮化物层进行磨平，并暴露出所述鳍形结构的顶部；

步骤S04：去除鳍形结构两侧的氧化物层，并对暴露出部分侧壁的鳍形结构进行外延生长；

步骤S05：去除氮化物层以及氧化物层，同时暴露出鳍形结构；其中，所述鳍形结构具有扩大部和底部，且所述扩大部的宽度大于所述底部的宽度；

步骤S06：对半导体基体进行氧化处理，同时使所述鳍形结构的底部完全被氧化；

步骤S07：在半导体基体上形成氧化层，所述氧化层覆盖所述鳍形结构的扩大部；

步骤S08：对所述氧化层进行刻蚀，直至暴露出所述鳍形结构的部分侧壁，最后在垂直于鳍形结构的方向上形成栅极。

2.根据权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述半导体基体的材料为单晶硅、锗硅或碳硅。

3.根据权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述步骤S02中，在半导体基体上通过原子层沉积或化学气相沉积形成氧化物层以及氮化物层。

4.根据权利要求3所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述氧化物层的材料为氧化硅，所述氮化物层的材料为氮化硅。

5.根据权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述步骤S03中，采用化学机械抛光工艺对所述氮化物层进行磨平。

6.根据权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述步骤S04中，去除鳍形结构两侧的氧化物层的宽度为5～20纳米。

7.根据权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述步骤S05中，采用等离子干法刻蚀工艺或湿法刻蚀工艺去除氮化物层以及氧化物层。

8.根据权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述栅极为多晶硅、非晶硅或金属栅极材料。