[发明专利]化学气相沉积反应器或外延层生长反应器及其支撑装置

权利要求书

1.一种应用于化学气相沉积反应器或外延层生长反应器内用于支撑基片承载架的支撑装置，所述基片承载架包括第一表面和第二表面，所述第一表面用于放置若干待处理的基片，所述第二表面用于接收来自下方加热装置的热辐射并设置有至少一个向内凹陷的凹进部，所述支撑装置包括：

可旋转的主轴部；

与所述主轴部的一端相连接、并沿所述主轴部外围向外延伸开来的支撑部，所述支撑部包括一支撑面；以及

与所述主轴部相连接、并自所述支撑面向上延伸一高度的插接部，所述插接部可分离地插接于所述基片承载架的凹进部内；

其中，当所述插接部可分离地插接于所述凹进部内时，在此位置下，所述支撑面至少部分地与所述基片承载架的第二表面相接触,并且藉由该接触的支撑面来支撑所述基片承载架；所述插接部的外周围与所述凹进部的内周壁有间隙，所述插接部至少部分地与所述凹进部的至少部分相互接触或相互卡合或相互抵靠，在所述主轴部旋转时，藉由所述插接部推动所述基片承载架一起同步旋转，每次移出基片时，所述基片承载架实现与所述支撑装置的分离。

2.如权利要求1所述的支撑装置，其特征在于，所述插接部呈一椭圆柱体或一圆柱体或一长方体或一正方体。

3.如权利要求1所述的支撑装置，其特征在于，所述插接部的个数为两个或更多，所述两个或多个插接部相互间隔一距离或彼此相邻。

4.如权利要求1或2或3所述的支撑装置，其特征在于，所述插接部上设置有至少一个卡接键或定位销。

5.如权利要求1所述的支撑装置，其特征在于，所述支撑部呈圆柱形、立方体或其他不规则形状的支撑结构。

6.如权利要求1所述的支撑装置，其特征在于，所述插接部的顶端和/或边缘设计有方便接插的倒角或圆弧面。

7.如权利要求1所述的支撑装置，其特征在于，所述支撑面为平坦表面或粗糙表面或为具有增加摩擦力的结构的表面。

8.如权利要求1所述的支撑装置，其特征在于，所述支撑部上均匀地或不均匀地分布设置有镂空结构。

9.一种应用于化学气相沉积反应器或外延层生长反应器内用于支撑基片承载架的支撑装置，所述基片承载架包括第一表面和第二表面，所述第一表面用于放置若干待处理的基片，所述第二表面用于接收来自下方加热装置的热辐射并设置有至少一个向内凹陷的凹进部，所述支撑装置包括：

可旋转的主轴部，其包括一顶端，所述顶端包括一支撑面；以及

与所述主轴部相连接、并沿着所述支撑面向上延伸一高度的插接部，所述插接部可分离地插接于所述基片承载架的一凹进部内；

其中，当所述插接部可分离地插接于所述凹进部内时，在此位置下，所述支撑面至少部分地与所述基片承载架的第二表面相接触,并且藉由该接触的支撑面来支撑所述基片承载架；所述插接部的外周围与所述凹进部的内周壁有间隙，所述插接部至少部分地与所述凹进部的至少部分相互接触或相互卡合或相互抵靠，在所述主轴部旋转时，藉由所述插接部推动所述基片承载架一起同步旋转，每次移出基片时，所述基片承载架实现与所述支撑装置的分离。

10.如权利要求9所述的支撑装置，其特征在于，所述插接部呈一椭圆柱体或一圆柱体或一长方体或一正方体。

11.如权利要求9所述的支撑装置，其特征在于，所述插接部的个数为两个或更多，所述两个或多个插接部相互间隔一距离或彼此相邻。

12.如权利要求9或10或11所述的支撑装置，其特征在于，所述插接部上设置有至少一个卡接键或定位销。

13.如权利要求9所述的支撑装置，其特征在于，所述插接部的顶端和/或边缘设计有方便接插的倒角或圆弧面。