[发明专利]晶圆级芯片封装方法

权利要求书

1.一种晶圆级芯片封装方法，其特征在于，所述晶圆级芯片封装方法包括步骤：

1)提供一载体，于所述载体的表面形成粘合层；

2)于所述粘合层表面形成介质层；

3)将半导体芯片正面朝下地附着于所述介质层表面；

4)采用注塑工艺对各半导体芯片进行封装；

5)分离所述粘合层及介质层，以去除所述载体及粘合层；

6)基于所述介质层对所述半导体芯片形成重新布线层。

2.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装方法，其特征在于：还包括步骤7)，于所述重新布线层上进行植球回流工艺，形成微凸点。

3.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装方法，其特征在于：所述半导体芯片为扇出型半导体芯片。

4.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装方法，其特征在于：所述载体包括玻璃、半导体、金属及刚性的聚合物中的一种。

5.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装方法，其特征在于：所述粘合层与介质层所采用的材料不同，并且所述粘合层与介质层能实现完全分离。

6.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装方法，其特征在于：所述介质层与半导体芯片之间具有足够的附着力以将各半导体芯片固定于所述介质层表面。

7.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装方法，其特征在于：所述粘合层包括胶带、通过旋涂工艺制作的粘合胶或环氧树脂中的一种，所述介质层包括二氧化硅及氮化硅中的一种。

8.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装方法，其特征在于：步骤4)的注塑工艺采用的封装材料包括硅胶以及环氧树脂中的一种。

9.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装方法，其特征在于：步骤6)包括以下步骤：

6-1)采用光刻工艺及刻蚀工艺于所述介质层中形成与半导体芯片电性引出所对应的通孔；

6-2)于各通孔中填充金属导体，形成连接通孔；

6-3)于所述介质层表面形成于所述连接通孔对应连接的重新布线层。

10.根据权利要求9所述的晶圆级芯片封装方法，其特征在于：步骤6-3)包括以下步骤：

6-3a)于所述介质层表面制作光刻胶图形；

6-3b)基于所述光刻胶图形于所述介质层表面沉积或溅射种子层；

6-3c)基于所述种子层电镀金属导体形成金属连线；

6-3d)去除所述光刻胶图形，以形成重新布线层。