[发明专利]一种宽频带抑制的合成植入滤波器

权利要求书

1.一种宽频带抑制的合成植入滤波器，其特征在于：包括均匀阻抗谐振器、阶梯阻抗谐振器、环形谐振器，所述均匀阻抗谐振器、阶梯阻抗谐振器经弯曲变形嵌套在环形谐振器中，均匀阻抗谐振器位于阶梯阻抗谐振器、环形谐振器之间，所述阶梯阻抗谐振器等分为六个单元，每个单元电长度为θ，根据不同的阻抗值，将六个单元分为三组Z1、Z2、Z3，电长度为2θ的Z1位于阶梯阻抗谐振器中间，两段电长度均为θ的Z3分别位于阶梯阻抗谐振器的两端，两段电长度均为θ的Z2分别位于Z3与Z1之间，所述环形谐振器上带有四个负载残端，四个负载残端均匀分布在环形谐振器上。

2.如权利要求1所述的宽频带抑制的合成植入滤波器，其特征在于：所述均匀阻抗谐振器以中心频率为谐振频率，电长度为二分之一导波波长，阻抗大小为特征阻抗50Ω。

3.如权利要求1所述的宽频带抑制的合成植入滤波器，其特征在于：所述阶梯阻抗谐振器的电长度为二分之一导波波长，阻抗大小为特征阻抗50Ω，所述阶梯阻抗谐振器的Z2与Z1、Z3有相同的基频，在上频段（大于中心频率）的谐波或杂散信号与均匀谐振器的谐波或杂散信号等幅反相。

4.如权利要求1所述的宽频带抑制的合成植入滤波器，其特征在于：所述环形谐振器的电长度为二分之一导波波长，四个负载残端均匀分布在环形谐振器上，每两个相邻的负载残端之间的圆弧长度是环形谐振器周长的四分之一。

5.如权利要求1所述的宽频带抑制的合成植入滤波器，其特征在于：所述环形谐振器对下频段（小于中心频率）谐波的抑制通过负载残端实现，四个负载残端只会影响环形谐振器偶模的谐振频率，当负载残端的电长度与环形谐振器的周长成一定比例的时候，下频段就会生成一个可控的谐振信号，不同的比例条件下，产生的信号与中心频率之间的距离正相关且可控。