[发明专利]有机电致发光器件的制备方法及有机电致发光器件在审
申请号: | 201510484300.6 | 申请日: | 2015-08-03 |
公开(公告)号: | CN105118930A | 公开(公告)日: | 2015-12-02 |
发明(设计)人: | 黄辉 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 电致发光 器件 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及电光源技术领域,尤其涉及一种有机电致发光器件的制备方法及有机电致发光器件。
背景技术
目前,在照明和显示领域中,有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode,OLED)因其低启动电压,轻薄,自发光等自身的特点,而被广泛应用于照明产品以及显示面板中,以满足低能耗,轻薄和面光源等需求。在显示面板行业中,OLED显示装置相较于传统的薄膜晶体管型液晶显示装置(TFT-LCD,ThinFilmTransistor-LiquidCrystalDisplay),具有十分优异的显示性能,特别是自发光、结构简单、超轻薄、响应速度快、宽视角、低功耗及可实现柔性显示等特性,因此被誉为“梦幻显示器”,再加上其生产设备投资远小于LCD显示装置,得到了各大显示器厂家的青睐,已成为显示技术领域中第三代显示器的主力军。目前OLED已处于大规模量产的前夜,随着研究的进一步深入,新技术的不断涌现,OLED器件必将有一个突破性的发展。
如图1所示,OLED器件具有依次形成于基板100上的阳极200、有机发光层300和阴极400。对于底发光型OLED器件,基板为出光面,光出射的路径一般为,有机发光层300-阳极200-基板100-空气,有机发光层300发出的光经过四段路径才可以达到空气中而入射到人的眼睛。有机发光层300为有机小分子材料,其折射率大致为1.6-1.7,阳极200采用氧化铟锡(ITO)薄膜,其折射率为1.8,基板100为玻璃基板,其折射率为1.5,空气折射率为1.0,那么光从折射率为1.8的ITO阳极传到折射率为1.5的玻璃基板、及光从折射率为1.5的玻璃基板100传到折射率为1.0的空气的过程中,光是从光密介质到光疏介质进行传递,因此,会存在全反射现象,入射角大于临界角的光线由于全反射而不能到达玻璃基板,不能到达玻璃基板的光就会在内部消耗吸收而损失掉。目前,一般的OLED器件的发光效率仅为17%左右,其中大部分的光由于上述界面全反射而损失。
发明内容
本发明的目的在于提供一种有机电致发光器件的制备方法,在基板与阳极之间设置散射层,能够提高有机电致发光器件光提取效率,作为散射层材料的二氧化钛膜通过静电纺丝工艺形成,较水热法等工艺更容易控制工艺条件,可操作性高。
本发明的目的还在于提供一种有机电致发光器件,可减少器件内出射光传播至基板过程中的全反射的发生,光提取效率高。
为实现上述目的,本发明提供一种有机电致发光器件的制备方法,包括以下步骤:
步骤1、将钛酸烷基酯、以及含吡咯结构的聚合物溶于溶剂中配制成溶液,得到纺丝溶液;
步骤2、提供不锈钢网,使用所述纺丝溶液在不锈钢网上进行静电纺丝,得到不锈钢网上的含钛的电纺膜;
步骤3、干燥后,将所述含钛的电纺膜从不锈钢网上撕下;
步骤4、提供基板,将所述含钛的电纺膜贴敷于基板上,300-700℃下进行烘烤,使所述含钛的电纺膜转化为二氧化钛膜,从而得到位于基板上的散射层;
步骤5、在所述基板、及所述散射层上依次形成阳极、有机电致发光结构、及阴极,得到所述有机电致发光器件。
所述步骤1中,所述钛酸烷基酯为钛酸四正丁酯,含吡咯结构的聚合物为聚吡咯、或聚乙烯吡咯烷酮;所述溶剂为水、甲醇、乙醇、或丁醇。
所述步骤1中还包括在所述溶液中加入聚乙二醇。
所述步骤2中,静电纺丝中的电压为25-50kV,接收距离为10-30cm,所得到的含钛的电纺膜的厚度不大于10μm,所述步骤4中得到的散射层的厚度不大于10μm。
所述步骤4中,400-600℃下进行烘烤。
所述步骤4中,提供的基板为玻璃基板。
所述步骤5中,通过溅射工艺在基板、及所述散射层上形成阳极,通过蒸镀工艺在所述基板、散射层、及阳极上形成有机电致发光结构、及阴极。
本发明还提供一种有机电致发光器件,其由上述的有机电致发光器件的制备方法制成;
包括基板、依次层叠于所述基板上的散射层、阳极、有机电致发光结构、及阴极;
所述散射层的材料为二氧化钛膜。
所述阳极的材料为氧化铟锡;所述阴极的材料为金属或合金金属。
所述有机电致发光结构包括空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层、及电子注入层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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