[发明专利]光耦合双向可控硅元件

权利要求书

1.一种光耦合双向可控硅元件，其特征在于：

包括1个半导体芯片，该半导体芯片在具有N型和P型中的一种导电类型的半导体衬底的表面相互分离地形成有第一光敏晶闸管部和第二光敏晶闸管部，

所述各光敏晶闸管部具有PNPN部，该PNPN部包括：阳极扩散区域，其具有N型和P型中的另一种导电类型；控制极扩散区域，其与所述阳极扩散区域相对，具有所述另一种导电类型；和阴极扩散区域，其与所述阳极扩散区域相对地形成在该控制极扩散区域内，并且具有所述一种导电类型，

所述各光敏晶闸管部还具有1个接合焊盘，该接合焊盘形成在所述各扩散区域的上层，并且与所述阳极扩散区域和所述阴极扩散区域电连接，与所述控制极扩散区域电绝缘，

所述第一光敏晶闸管部的所述PNPN部和所述第二光敏晶闸管部的所述PNPN部相对于所述半导体芯片的中心配置成点对称，或者相对于通过所述半导体芯片的中心且与所述半导体芯片的一边平行的线段线对称地配置，

所述第一光敏晶闸管部的所述接合焊盘和所述第二光敏晶闸管部的所述接合焊盘相互分离地配置在所述线段的延伸方向的一端侧和另一端侧，

所述第一光敏晶闸管部的所述PNPN部和所述第二光敏晶闸管部的所述PNPN部相对于通过所述半导体芯片的中心且与所述半导体芯片的一边平行的线段线对称地配置，

所述第一光敏晶闸管部的所述接合焊盘和所述第二光敏晶闸管部的所述接合焊盘相对于所述半导体芯片的中心配置成点对称，由此相互分离地配置在所述线段的延伸方向的一端侧和另一端侧。

2.根据权利要求1所述的光耦合双向可控硅元件，其特征在于：

所述第一光敏晶闸管部的所述接合焊盘和所述第二光敏晶闸管部的所述接合焊盘相对于所述半导体芯片的中心配置成点对称，由此相互分离地配置在所述线段的延伸方向的一端侧和另一端侧。

3.根据权利要求1或2所述的光耦合双向可控硅元件，其特征在于：

所述第一光敏晶闸管部的所述接合焊盘和所述第二光敏晶闸管部的所述接合焊盘配置在使所连接的金属线覆盖触发用的光的受光区域的比例下降的位置，使所述第一光敏晶闸管部与所述第二光敏晶闸管部的所述光的受光面积相同。