[发明专利]一种信息处理方法及电子设备

说明书

本发明实施例提供一种信息处理方法及电子设备，用于解决在对SSD进行输入指令时闪存中数据处理效率较低的技术问题。该方法包括：接收针对电子设备中存储器件的输入指令，所述输入指令中包含N个写指令，所述输入指令携带有目的逻辑地址，N为正整数；根据所述目的逻辑地址，获取所述存储器件中至少一个闪存区域的负载指数；确定所述至少一个闪存区域中负载指数低于预设负载指数的闪存区域，并将所述N个写指令对应的操作区域调整到确定的闪存区域中。

技术领域

本发明涉及存储技术领域，特别涉及一种信息处理方法及电子设备。

背景技术

SSD(Solid State Drives，固态硬盘)是由固态电子存储芯片阵列而制成的硬盘。SSD中有一个控制器芯片，用于负责进行数据的存储及传输。SSD主要由Flash(闪存)芯片构成，每个Flash芯片包括多个物理页，Flash芯片的物理页被逻辑划分为不同的逻辑块，SSD内部运行的程序称为固件。

如图1所示，固件的核心包括三个部分，即主机接口模块、FTL(Flash TranslationLayer，闪存转换层)模块、NFC(NAND Flash Controller，NAND Flash控制器)模块。其中，主机接口模块主要用于从主机接口获得与用户的输入操作对应的用于读取数据的读指令(即图1中的Read)或用于写入数据的写指令(即图1中的Write)；FTL模块主要用于把读/写指令转换成Flash芯片按照物理页为单位的读/写操作，及，可以按照以块为单位产生擦除操作，以便在在需要进行写操作时，可以先通过擦除操作擦除将要写入的块原有中的数据，再在擦除后的块中写入新的数据；NFC模块可以将FTL模块产生的读指令、写指令、或擦除指令等不同的指令进行分组，并按照分组，通过相应的数据总线将不同的指令发送给不同的Flash芯片，以集中各组指令分别进行处理，从而通过Flash芯片对应的数据总线可以获得相应组的相关数据。

在实际应用中，NAND型闪存(即NAND Flash芯片，Flash芯片的一种)的读指令的执行速度最快，但写指令的执行速度较慢。一般来说，读取一个物理页中存储的数据只需几十微秒，而写满一个物理页的数据需要几毫秒。由于NAND是按照各个读写指令接收的顺序依次执行，因此，如果某个NAND Flash芯片(后简称为NAND)上的写指令比较集中，而其它NAND上的读/写指令比较少，若NAND是先接收的写指令后接收的读指令，则在该NAND上就会由于写指令占用比较长的时间而影响这个NAND上读指令的响应速度，从而导致读指令的延迟，使得NAND的数据总线利用率较低。

发明内容

本发明实施例提供一种信息处理方法及电子设备，用于解决电子设备中SSD对输入指令进行处理时闪存中数据总线利用率较低的技术问题。

一种信息处理方法，包括：

接收针对电子设备中存储器件的输入指令，所述输入指令中包含N个写指令，所述输入指令携带有目的逻辑地址，N为正整数；

根据所述目的逻辑地址，获取所述存储器件中至少一个闪存区域的负载指数；

确定所述至少一个闪存区域中负载指数低于预设负载指数的闪存区域，并将所述N个写指令对应的操作区域调整到确定的闪存区域中。

可选的，根据所述目的逻辑地址，获取所述存储器件中至少一个闪存区域的负载指数，包括：

根据所述输入指令携带的目的逻辑地址，确定所述输入指令在所述至少一个闪存区域中的分布信息；

根据所述分布信息及所述至少一个闪存区域已接收的输入指令，计算所述至少一个闪存区域的负载指数。

可选的，所述存储器件中包括的闪存区域中设置有用于接收并处理对应于其他闪存区域的写指令的辅助存储区域；

将所述N个写指令对应的操作区域调整到确定的闪存区域中，包括：