[发明专利]一种TFT阵列基板及其制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一基底；

在所述基底之上形成第一图案化的栅线和公共电极线；

在形成有栅线和公共电极线的所述基底之上形成第二图案化的栅绝缘层，其中，位于显示区域的栅绝缘层按照预设间隙至少形成有多个第一栅绝缘条，所述每个第一栅绝缘条与相邻间隙位置处的表面膜层的高度差相等且大于

在位于有源区域的栅绝缘层之上形成第三图案化的半导体层及源、漏极；

在所述显示区域形成第四图案化的相互绝缘的第一透明电极和第二透明电极，其中，在施加电压时，位于所述第一栅绝缘条之上的第一透明电极与位于相邻间隙位置处的第二透明电极形成水平电场。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成有栅线和公共电极线的所述基底之上形成第二图案化的栅绝缘层，具体包括：

沉积覆盖整个所述基底的栅绝缘层；

根据第二道光罩工艺，在显示区域形成多个交替设置的第一栅绝缘条和第二栅绝缘条，以及，在公共电极线之上形成贯穿所述栅绝缘层的过孔，其中，所述第一栅绝缘条与所述第二栅绝缘条的高度差的取值范围为：

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在所述显示区域形成第四图案化的相互绝缘的第一透明电极和第二透明电极，具体包括：

在所述基底之上沉积透明电极层；

根据第四道工艺，在显示区域形成包含多个像素电极支电极的像素电极，以及包含多个公共电极支电极的公共电极，其中，所述像素电极与所述公共电极相互绝缘，每个像素电极支电极覆盖相应地第一栅绝缘条，且所述像素电极搭接在漏极，每个公共电极支电极覆盖相应地第二栅绝缘条，所述公共电极通过所述过孔与所述公共电极线电连接。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成有栅线和公共电极线的所述基底之上形成第二图案化的栅绝缘层，具体包括：

沉积覆盖整个所述基底的栅绝缘层；

利用灰度掩膜板，在显示区域按照预设间隙仅形成有多个第一栅绝缘条，以及，在公共电极线之上形成贯穿所述栅绝缘层的过孔，其中，所述第一栅绝缘条的高度取值范围为：

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述显示区域形成第四图案化的相互绝缘的第一透明电极和第二透明电极，具体包括：

在所述基底之上沉积透明电极层；

根据第四道工艺，在显示区域形成包含多个像素电极支电极的像素电极，以及包含多个公共电极支电极的公共电极，其中，所述像素电极与所述公共电极相互绝缘，每个像素电极支电极覆盖相应地第一栅绝缘条，所述像素电极搭接在漏极，每个公共电极支电极覆盖与所述第一绝缘条相邻的间隙位置处的基底，所述公共电极通过所述过孔与所述公共电极线电连接。

6.如权利要求1-5任一所述的方法，其特征在于，所述第一栅绝缘条为条形结构或Z型结构。

7.一种利用权利要求1-6任一所述的方法制作而成的阵列基板，其特征在于，包括：

基底；

位于所述基底之上的第一图案化的栅线和公共电极线；

位于形成有栅线和公共电极线的所述基底之上的第二图案化的栅绝缘层，其中，位于显示区域的栅绝缘层至少包含多个按照预设间隙排布的第一栅绝缘条，所述每个第一栅绝缘条与相邻间隙位置处的表面膜层的高度差相等且大于

位于有源区域的栅绝缘层之上的第三图案化的半导体层及源、漏极；

位于所述显示区域，第四图案化的相互绝缘的第一透明电极和第二透明电极，其中，在施加电压时，位于所述第一栅绝缘条之上的第一透明电极与位于相邻间隙位置处的第二透明电极形成水平电场。

8.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述第二图案化的栅绝缘层，具体包括：

位于显示区域的交替设置的多个第一栅绝缘条和多个第二栅绝缘条，以及，位于所述公共电极线之上且贯穿所述栅绝缘层的过孔，其中，所述第一栅绝缘条与所述第二栅绝缘条的高度差的取值范围为：