[发明专利]一种基于LTCC的S波段功分滤波器在审

专利信息
申请号: 201510481029.0 申请日: 2015-08-07
公开(公告)号: CN105070988A 公开(公告)日: 2015-11-18
发明(设计)人: 周衍芳;许心影;戴永胜;乔冬春;李博文;陈烨;刘毅 申请(专利权)人: 南京理工大学
主分类号: H01P1/203 分类号: H01P1/203
代理公司: 南京理工大学专利中心 32203 代理人: 朱显国
地址: 210094 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 ltcc 波段 滤波器
【权利要求书】:

1.一种基于LTCC的S波段功分滤波器,其特征在于,包括S波段等分功分器(P1)、第一微波滤波器(P2)和第二微波滤波器(P2);

S波段等分功分器(P1)包括输入端口(Port_In)、输入引线(Lin1)、第一接地端(GND1)、第二接地端(GND2)、第一屏蔽层(Sd1)、第二屏蔽层(Sd2)、第一1/4波长传输线(L1)、第二1/4波长传输线(L2)、第一输出引线(Lout1)、第二输出引线(Lout2)以及电阻(R100);其中,输入引线(Lin)、第一输出引线(Lout1)、第二输出引线(Lout2)互相平行,且第一输出引线(Lout1)与第二输出引线(Lout2)关于输入引线(Lin1)的中心轴线对称,第一屏蔽层(Sd1)与第二屏蔽层(Sd2)关于输入引线(Lin1)所在平面对称;输入引线(Lin1)、第一1/4波长传输线(L1)、第二1/4波长传输线(L2)、第一输出引线(Lout1)、第二输出引线(Lout2)以及电阻(R100)在同一个平面上,第一屏蔽层(Sd1)和第二屏蔽层(Sd2)分别位于该平面的上方和下方;第一屏蔽层(Sd1)和第二屏蔽层(Sd2)在输入引线(Lin1)垂直的方向上同时与第一接地端(GND1)和第二接地端(GND2)相连,输入引线(Lin1)的一端连接输入端口(Port_In),另一端分两路,分别连接第一1/4波长传输线(L1)和第二1/4波长传输线(L2),第一1/4波长传输线(L1)和第二1/4波长传输线(L2)的另一端在分别连接第一输出引线(Lout1)和第二输出引线(Lout2)的同时跨接电阻(R100)。

2.如权利要求1所述S波段功分滤波器,其特征在于,第一微波滤波器(P1)与第二微波滤波器(P2)的结构相同,均包括输入引线电感(Lin2)、第一级并联谐振单元、第二级并联谐振单元、第三级并联谐振单元、第四级并联谐振单元、第五级并联谐振单元、第六级并联谐振单元、输出引线电感(Lout3)、输出端口(Port_Out)、第一U形耦合单元(U1)、第二U形耦合单元(U2)、Z形级间耦合单元(ZL)、第三屏蔽层(Sd3)、第四屏蔽层(Sd4)、第三接地端(GND3)、第四接地端(GND4);其中,每级谐振单元由平行放置的两层传输线构成,输入引线电感(Lin2)与每级并联谐振单元中的第一层传输线以及输出引线电感(Lout3)在同一平面上;每级并联谐振单元中的第一层传输线的一端均与第三接地端(GND3)相连,另一端均开路;每级并联谐振单元中的第二层传输线的一端均与第四接地端(GND4)相连,另一端均开路;输入引线电感(Lin2)的一端与第一级并联谐振单元中第一层传输线的中部相连,另一端与第一输出引线(Lout1)或者与第二输出引线(Lout2)连接;输出引线电感(Lout3)的一端与第六级并联谐振单元中第一层传输线的中部相连,另一端与输出端口(Port_Out)相连;第一U形耦合单元(U1)和第二U形耦合单元(U2)在同一平面上,且位于六个谐振单元的上方、第四屏蔽层(Sd4)的下方;Z形耦合单元(ZL)在位于六个谐振单元的下方、第三屏蔽层(Sd3)的上方,且Z形耦合单元(ZL)的两端分别与第三接地端(GND3)和第四接地端(GND4)相连。

3.如权利要求2所述S波段功分滤波器,其特征在于,S波段等分功分器(P1)中的输入端口(Port_In)、输入引线(Lin1)、第一接地端(GND1)、第二接地端(GND2)、第一屏蔽层(Sd1)、第二屏蔽层(Sd2)、第一1/4波长传输线(L1)、第二1/4波长传输线(L2)、第一输出引线(Lout1)、第二输出引线(Lout2)、电阻(R100),以及第一微波滤波器(P2)和第二微波滤波器(P2)中的输入引线电感(Lin2)、第一级并联谐振单元、第二级并联谐振单元、第三级并联谐振单元、第四级并联谐振单元、第五级并联谐振单元、第六级并联谐振单元、输出引线电感(Lout3)、输出端口(Port_Out)、第一U形耦合单元(U1)、第二U形耦合单元(U2)、Z形级间耦合单元(ZL)、第三屏蔽层(Sd3)、第四屏蔽层(Sd4)、第三接地端(GND3)、第四接地端(GND4)均采用多层低温共烧陶瓷工艺实现。

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