[发明专利]含Y、纳米Ag的3D芯片堆叠互连材料

权利要求书

1.一种含Y、纳米Ag的3D芯片堆叠互连材料，其特征在于：其成分及质量百分比为：稀土元素Y含量为0.01～0.5％，纳米Ag颗粒为2～7％，其余为In。

2.一种权利要求1所述的含Y、纳米Ag的3D芯片堆叠互连材料的制备方法，其特征在于：采用生产复合金属材料的常规制备方法得到。

3.一种权利要求1所述的含Y、纳米Ag的3D芯片堆叠互连材料的制备方法，其特征在于：首先制备In-Y中间合金粉末，其次混合In-Y粉末、In粉末、混合松香树脂、触变剂、稳定剂、活性辅助剂和活性剂并充分搅拌，最后添加纳米Ag颗粒，充分搅拌制备膏状含Y和纳米Ag颗粒的互连材料。

4.一种利用权利要求3所述方法得到的含Y、纳米Ag的3D芯片堆叠互连材料形成高强度焊点的方法，其特征在于：使用膏状含Y和纳米Ag颗粒的互连材料，采用精密丝网印刷和回流焊工艺在芯片表面制备凸点，在压力1MPa～10MPa和温度170℃～260℃条件下实现三维空间的芯片垂直互连，形成高强度互连焊点。