[发明专利]采用气体吹扫法消除腔体空闲产生的第一片效应问题在审
| 申请号： | 201510477068.3 | 申请日： | 2015-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN105161403A | 公开（公告）日： | 2015-12-16 |
| 发明（设计）人： | 吕光泉;刘忆军;戚艳丽;宁建平;李培培;杨艳 | 申请（专利权）人： | 沈阳拓荆科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C23C16/513 |
| 代理公司： | 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 | 代理人： | 甄玉荃;霍光旭 |
| 地址： | 110179 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 采用 气体 吹扫法 消除 空闲 产生 一片 效应 问题 | ||
【权利要求书】：
1.采用气体吹扫法消除腔体空闲产生的第一片效应问题，其特征在于：该方法是通过下述步骤实现:
1)载物台控温：下电极通过热偶准确控制温度；
2)工艺前处理：在腔室内进行沉积，刻蚀操作；
3)腔体空闲：由于机械手调度出现腔室空闲；
4)间歇通气：间歇从反应腔室的上电极通入气体；
5)工艺前处理：在腔室内进行沉积，刻蚀操作；
6)工艺片的沉积。
2.如权利要求1所述的采用气体吹扫法消除腔体空闲产生的第一片效应问题，其特征在于：所述步骤4)中间歇通入的气体为N2。
3.如权利要求1所述的采用气体吹扫法消除腔体空闲产生的第一片效应问题，其特征在于：所述步骤4)间歇通入的气体流量为3000-6000sccm。
4.如权利要求1所述的采用气体吹扫法消除腔体空闲产生的第一片效应问题，其特征在于：所述步骤4)在通气过程中，通过蝶阀控制反应腔室压力，反应压力由1-9Torr。
5.如权利要求1所述的采用气体吹扫法消除腔体空闲产生的第一片效应问题，其特征在于：所述步骤4)通过载物台的上下运动，控制上下电极之间的距离，控制在6-12mm。
6.如权利要求1所述的采用气体吹扫法消除腔体空闲产生的第一片效应问题，其特征在于：所述步骤4)间歇通入的气体的频率为1-10次/10min。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
