[发明专利]一种晶体硅异质结太阳电池进光面用的金属电极及其制备方法

权利要求书

1.一种晶体硅异质结太阳电池进光面用的金属电极，其特征在于：该金属电极的材料构成为银或者过渡层/银的复合结构，过渡层/银的复合结构中的过渡层是指在晶体硅异质结太阳电池的TCO层与金属银之间的一层非银金属层，其材料构成为铬、钛、镍或者钨，过度层的厚度不超过1微米；该金属电极的结构中细栅线线宽不大于20微米，厚度不大于10微米，条数不少于120且相邻细栅线之间的间距相等；细栅线的线宽（d）与相邻两条细栅线之间的间距（s）成正比，d=A*s，其中A为一个常数，取值为0.1%~2.0%之间，细栅线的线宽与厚度的乘积与相邻两条细栅线之间的间距成正比；金属电极的结构中可以有与细栅线垂直的主栅线，也可以没有主栅线；主栅线的材料可以为与细栅线相同的材料，此时主栅线和细栅线可在同样的工艺流程中同时做出；主栅线的材料也可以为与细栅线不同的材料。

2.根据权利要求1所述的晶体硅异质结太阳电池进光面用的金属电极，其特征在于：该金属电极由物理气相沉积或化学镀膜的方法制备。

3.根据权利要求1所述的晶体硅异质结太阳电池进光面用的金属电极，其特征在于，相邻主栅线之间的间隔与细栅线的线宽和厚度的乘积成反比，主栅线的条数与相邻主栅线的间隔成反比。

4.如权利要求1所述的金属电极的制备方法，其特征在于：主栅线和细栅线由相同材料构成，由以下工艺方法制备：第一步，在沉积好TCO层的晶体硅异质结太阳电池表面覆盖一层掩膜，掩膜的漏空与所需的金属电极相同；第二步，通过物理气相沉积或者化学镀膜的方法在第一步所得结构的表面覆盖一层所需厚度的金属电极；第三步，去掉在晶体硅异质结太阳电池表面所覆盖的掩膜及多余的金属材料，多余的金属材料可回收再利用。

5.如权利要求4所述金属电极的制备方法，其特征在于：物理气相沉积法是磁控溅射、热蒸发或离子束蒸发；化学镀膜的方法是化学镀膜法或电化学镀膜法。

6.如权利要求1所述金属电极的制备方法，其特征在于：主栅线和细栅线由不同材料构成的可由以下工艺方法制备：第一步：采用上述发明内容中所述的工艺流程制备细栅线：（1）在沉积好TCO层的晶体硅异质结太阳电池表面覆盖一层掩膜，掩膜的漏空与所需的金属电极相同；（2），通过物理气相沉积或者化学镀膜的方法在第一步所得结构的表面覆盖一层所需厚度的金属电极；（3），去掉在晶体硅异质结太阳电池表面所覆盖的掩膜及多余的金属材料；第二步，采用丝网印刷并进行热处理的方法获得由低温浆料构成的主栅线。