[发明专利]具有纹理化前表面和/或背表面的薄膜半导体光电器件

权利要求书

1.一种用于提供光电器件中的纹理化层的方法，所述方法包括：

在平面半导体层上外延生长岛状物的模板层，其中所述模板层在厚度上具有明显的不均匀性；以及

将所述模板层和所述平面半导体层暴露于蚀刻工艺以使用所述模板层作为蚀刻掩模在所述平面半导体层中产生至少一个纹理化表面，其中所述至少一个纹理化表面是所述光电器件的部分。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述至少一个纹理化表面在操作中引起光散射。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述模板层通过物理气相沉积、化学气相沉积、液相沉积、平版印刷术、或液体涂覆形成。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻工艺通过基于液体或溶液的化学蚀刻剂进行。

5.如权利要求1所述的方法，其中蚀刻工艺通过来自由以下组成的组的技术进行：气体蚀刻、激光蚀刻、等离子体蚀刻、或离子蚀刻。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述模板层本身不被蚀刻。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述模板层本身被蚀刻。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻工艺是选择性的以比蚀刻所述模板层更迅速地蚀刻所述平面半导体层。

9.如权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻工艺是选择性的以比蚀刻所述模板层内的某些其他材料组成成分更迅速地蚀刻所述模板层内包含的某些材料组成成分。

10.如权利要求1所述的方法，其中所述模板层由于所述模板层和所述平面半导体层之间的晶格失配而形成，所述模板层被外延生长在所述平面半导体层上。

11.如权利要求1所述的方法，其中所述模板层是足够薄的以不完全地覆盖所述平面半导体层，所述模板层被外延生长在所述平面半导体层上。

12.如权利要求1所述的方法，其中所述模板层包括多个岛状物。

13.如权利要求12所述的方法，其中所述多个岛状物彼此之间具有可变的尺寸。

14.如权利要求1所述的方法，其中所述至少一个纹理化表面引起光子以随机化的角度散射。

15.如权利要求1所述的方法，其中所述模板层是半导体并且包括由以下组成的组中的至少一种：镓、铝、铟、磷、氮、以及砷。

16.如权利要求1所述的方法，其中所述模板层比所述平面半导体层具有更大的带隙。

17.如权利要求1所述的方法，其中所述模板层是透明的。

18.如权利要求1所述的方法，其中所述模板层使用Stranski-Krastanov工艺来形成。

19.如权利要求1所述的方法，其中所述模板层使用Volmer-Weber工艺来形成。

20.如权利要求1所述的方法，还包括将介电层沉积在所述模板层上。

21.如权利要求1所述的方法，还包括将透明导电氧化物(TCO)层沉积在所述模板层上。

22.如权利要求1所述的方法，还包括将抗反射涂层沉积在所述至少一个纹理化表面上。

23.如权利要求1所述的方法，还包括将金属反射层沉积在所述模板层上。