[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、液晶面板在审

专利信息
申请号: 201510475246.9 申请日: 2015-08-06
公开(公告)号: CN105161542A 公开(公告)日: 2015-12-16
发明(设计)人: 武岳;李珊;雍玮娜 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;H01L21/336;H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368
代理公司: 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 代理人: 孙伟峰;黄进
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 薄膜晶体管 阵列 及其 制备 方法 液晶面板
【权利要求书】:

1.一种薄膜晶体管阵列基板,包括阵列设置于一玻璃基板上的多个薄膜晶体管,每一薄膜晶体管包括:形成于所述玻璃基板上的栅电极、覆设于所述栅电极上的栅极绝缘层、形成于所述栅极绝缘层上的有源层以及形成于所述有源层上的源电极和漏电极,其中,所述源电极和漏电极在第一方向上相互间隔,所述有源层对应于所述源电极和漏电极相互间隔的区域为沟道区;其特征在于,所述栅极绝缘层朝向所述有源层的一面,至少对应于所述沟道区的部分具有多个凸起结构,形成具有多个沟槽的褶皱表面;所述有源层朝向所述栅极绝缘层的一面与所述栅极绝缘层的表面完全齿合。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,所述多个凸起结构中,每一凸起结构沿所述第一方向延伸;所述多个凸起结构沿与第一方向垂直的第二方向依次排列。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,所述凸起结构沿所述第一方向延伸呈直线状或曲线状。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,所述凸起结构在第二方向上的截面呈半圆形或近似于半圆形。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,所述多个凸起结构沿所述第二方向等间距排列,所述具有多个沟槽的褶皱表面在第二方向上的截面呈波浪状结构。

6.根据权利要求3所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,所述凸起结构在第二方向上的截面呈三角形。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,所述多个凸起结构沿所述第二方向等间距排列,所述具有多个沟槽的褶皱表面在第二方向上的截面呈锯齿状结构。

8.根据权利要求1-7任一所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,该阵列基板还包括形成于所述玻璃基板上的扫描线和数据线以及由扫描线和数据线交叉限定的像素区域;所述薄膜晶体管位于所述像素区域中,所述像素区域还设置有像素电极,所述像素电极与所述薄膜晶体管的源电极或漏电极电性连接。

9.一种如权利要求1-8任一所述的薄膜晶体管阵列基板的制备方法,其特征在于,包括步骤:

S101、提供一玻璃基板并在该玻璃基板上制备栅电极;

S102、在所述栅电极上制备栅极绝缘层;其中,所述栅极绝缘层至少覆盖所述栅电极;

S103、在所述栅极绝缘层的上表面通过压印工艺或刻蚀工艺多个凸起结构,获得具有多个沟槽的褶皱表面;

S104、在所述栅极绝缘层的上制备有源层,所述有源层朝向所述栅极绝缘层的一面与所述栅极绝缘层的表面完全齿合;

S105、在所述有源层上制备源电极和漏电极。

10.一种液晶面板,包括相对设置的阵列基板和滤光基板以及位于阵列基板和滤光基板之间的液晶层,其特征在于,所述阵列基板为权利要求1-8任一所述的薄膜晶体管阵列基板。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电技术有限公司,未经深圳市华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510475246.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top