[发明专利]感测器与感测器的制作方法在审
申请号: | 201510470233.2 | 申请日: | 2015-08-04 |
公开(公告)号: | CN105070730A | 公开(公告)日: | 2015-11-18 |
发明(设计)人: | 郑造时;陈盈宪;徐文斌 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144;H01L21/82 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;常大军 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 感测器 制作方法 | ||
1.一种感测器的制作方法,其特征在于,包括:
于一基板上形成一主动元件;
于该基板上形成一第一绝缘层以覆盖该主动元件,其中该第一绝缘层形成有一第一开口以局部暴露出该主动元件;
于该第一绝缘层上使用一导电材料形成一毯覆式导电层,其中该毯覆式导电层经由该第一开口连接该主动元件;
于该毯覆式导电层上形成一光电转换材料层;
于该光电转换材料层上形成一第一光阻图案,并以该第一光阻图案为掩膜,将该光电转换材料层图案化成一光电转换单元;以及
图案化该毯覆式导电层以形成一第一电极,其中该第一电极配置于该第一开口中并将该光电转换单元电性连接至该主动元件。
2.根据权利要求1所述的感测器的制作方法,其特征在于,形成该第一电极的方法包括:在该光电转换材料层图案化成该光电转换单元之后,继续以该第一光阻图案为掩膜将该毯覆式导电层图案化成该第一电极。
3.根据权利要求1所述的感测器的制作方法,其特征在于,更包含形成一第二光阻图案于该光电转换单元上,并且以该第二光阻图案为掩膜图案化该毯覆式导电层以形成该第一电极。
4.根据权利要求3所述的感测器的制作方法,其特征在于,该第二光阻图案覆盖该光电转换单元,且以该第二光阻图案为掩膜图案化成的该第一电极包括彼此相连的一凸出部以及一接触部,该接触部接触该光电转换单元,且该凸出部由该接触部向外凸出而不接触该光电转换单元。
5.根据权利要求1所述的感测器的制作方法,其特征在于,该主动元件包括一栅极、一源极、一漏极与一通道层,该栅极与该通道层在该基板的厚度方向上彼此堆叠,该源极与该漏极分别接触该通道层,该源极与该漏极彼此分隔以定义出该通道区,该第一开口暴露出该漏极,该第一电极通过该第一开口连接至该漏极。
6.根据权利要求5所述的感测器的制作方法,其特征在于,更包括形成一遮光层,该遮光层电性连接至该源极,且该遮光层的面积遮挡住该主动元件的通道区。
7.根据权利要求6所述的感测器的制作方法,其特征在于,更包含形成一第二光阻图案,该第二光阻图案包括位于该光电转换单元上的一第一图案区以及位于该主动元件上的一第二图案区,其中该图案化该毯覆式导电层的方法包括以该第一图案区以及该第二图案区为掩膜,将该毯覆式导电层图案化以分别形成该第一电极与该遮光层。
8.根据权利要求5所述的感测器的制作方法,其特征在于,图案化该毯覆式导电层的步骤同时形成该第一电极以及一遮光层,且该遮光层电性连接至该源极。
9.根据权利要求5所述的感测器的制作方法,其特征在于,更包括:
于该第一绝缘层中形成一第二开口,该第二开口暴露出该源极;
形成一第二绝缘层,覆盖该主动元件与该光电转换单元,其中该第二绝缘层具有一第三开口,该第三开口至少暴露出该第二开口所暴露的该源极的一部分;以及
形成一遮光层于该第二绝缘层上,该遮光层覆盖该第三开口以电性连接至该源极。
10.根据权利要求5所述的感测器的制作方法,其特征在于,更包括形成一遮光层,其中该遮光层的面积遮挡住该主动元件的通道区。
11.根据权利要求1所述的感测器的制作方法,其特征在于,更包括:
形成一第二绝缘层,覆盖该主动元件与该光电转换单元:以及
形成一第二电极于该第二绝缘层上,其中该第二电极电性连接该光电转换单元。
12.一种感测器,其特征在于,包括:
一主动元件,配置于一基板上;
一第一绝缘层,配置于该基板上,并具有一第一开口,以局部暴露出该主动元件;
一第一电极,覆盖该第一开口,其中该第一电极配置于该第一绝缘层上并填入该第一开口中,且该第一电极的面积大于该第一开口的面积;
一光电转换单元,配置于该第一电极上,且电性连接至该第一电极;以及
一遮光层,配置于该主动元件上方。
13.根据权利要求12所述的感测器,其特征在于,该主动元件包括一栅极、一源极、一漏极与一通道层,该栅极与该通道层在该基板的厚度方向上彼此堆叠,该源极与该漏极分别接触该通道层,该源极与该漏极彼此分隔以定义出该通道区,且该第一电极通过该第一开口连接至该漏极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的