[发明专利]一种高精度测量晶片横向对准误差的方法

权利要求书

1.一种高精度测量晶片横向对准误差的方法，其特征在于：包括以下步骤：

1)在光刻版上横向加工一排中心对齐的刻度线阵列作为光刻版测量标尺；

2)在晶片上横向加工一排中心对齐的刻度线阵列作为晶片测量标尺；

3)通过移动晶片，调整晶片与光刻板的相对位置，使晶片测量标尺与光刻版测量标尺在视野中重叠或平行；

4)通过计算读取晶片横向误差；

所述步骤4)中的读取方法为首先读取晶片基准刻度线偏离光刻版基准刻度线的方向，然后读取光刻版上的刻度线在他们之间出现的的条数x，最后观察晶片基准刻度线在偏离光刻版方向上的第几条刻度线与光刻版上的刻度线重合；当重合的刻度线在晶片基准刻度线左侧第n条，则晶片在横向偏离光刻版的相对误差为偏左x×l₁+n×(l₁-l₂)；当重合的刻度线在晶片基准刻度线右侧第n条，则晶片在横向偏离光刻版的相对误差为偏右x×l₁+n×(l₁-l₂)，其中，l₁表示光刻版测量标尺中相邻两刻度线中心之间的间距，l₂表示晶片测量标尺中相邻两刻度线中心之间的间距。

2.根据权利要求1所述的一种高精度测量晶片横向对准误差的方法，其特征在于：所述步骤1)中光刻版测量标尺的每一条刻度线都由两条线条组成，构成同一条刻度线的两条线条在光刻版上位于同一纵向直线上且二者不相接，相邻两刻度线中心之间的间距均为l₁，l₁不大于1μm，刻度线条数为m，m为大于3的整数，并设有一条刻度线的形貌不同于其余刻度线的光刻版基准刻度线。

3.根据权利要求1所述的一种高精度测量晶片横向对准误差的方法，其特征在于：所述步骤2)中晶片测量标尺的刻度线形状为线条，线条的纵向长度大于组成光刻版上刻度线的两条线条的边沿间距，相邻两刻度线中心之间的间距均为l₂，l₂小于l₁，l₁与l₂相差不大于0.1μm，并设有一条刻度线的形貌不同于其余刻度线的晶片基准刻度线。