[发明专利]适用于MEMS麦克风的光掩膜结构及其制作方法

权利要求书

1.一种适用于MEMS麦克风的光掩膜结构，其特征在于，包括SOI基板和形成在所述SOI基板的阶梯型开口；所述SOI基板包括硅衬底、中间绝缘层和硅顶层，所述中间绝缘层位于所述硅衬底和所述硅顶层之间；所述阶梯型开口包括第一开口部和第二开口部，其中所述第一开口部贯穿所述硅顶层且其开口面积与待制作的连接盘的面积相对应，所述第二开口部至少贯穿所述硅衬底并与所述第一开口部相连通，所述第二开口部的开口面积大于所述第一开口部。

2.如权利要求1所述的光掩膜结构，其特征在于，所述SOI基板还包括形成在所述硅衬底表面的第一绝缘层，且所述第二开口部同时贯穿所述第一绝缘层、所述硅衬底和所述中间绝缘层。

3.如权利要求2所述的光掩膜结构，其特征在于，所述第一绝缘层、所述第二绝缘层、所述硅顶层和所述硅衬底中的任一层形成有对位标记，且所述对位标记形成在所述第二开口部的外围。

4.如权利要求1至3中任一项所述的光掩膜结构，其特征在于，所述SOI基板还包括形成在所述硅顶层表面的第二绝缘层，且所述第一开口部同时贯穿所述第二绝缘层和所述硅顶层。

5.如权利要求1所述的光掩膜结构，其特征在于，所述中间绝缘层为第一中间绝缘层，且所述SOI基板还包括硅中间层和第二中间绝缘层，所述第一中间绝缘层、所述硅中间层和所述第二中间绝缘层依序层叠设置在所述硅衬底和所述硅顶层之间，且所述阶梯型开口还包括同时贯穿所述第一中间绝缘层、所述硅中间层和所述第二中间绝缘层的第三开口部，其开口面积大于所述第一开口部但小于所述第二开口部；所述第二开口部通过所述第三开口部与所述第二开口部相连通。

6.一种光掩膜结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供SOI基板，所述SOI基板包括硅衬底、中间绝缘层和硅顶层，其中所述中间绝缘层位于所述硅衬底和所述硅顶层之间；

在所述硅顶层和所述硅衬底分别蚀刻出第一开口部和第二开口部，其中，所述第一开口部贯穿所述硅顶层且其开口面积与待制作的连接盘的面积相对应，而所述第二开口部至少贯穿所述硅衬底且其开口面积大于所述第一开口部；

将所述第二开口部与所述第一开口部相连通以形成阶梯形开口。

7.如权利要求6所述的光掩膜结构的制作方法，其特征在于，所述SOI基板还包括分别形成在所述硅衬底和所述硅顶层表面的第一绝缘层和第二绝缘层，并且所述第一开口部同时贯穿所述第二绝缘层和所述硅顶层，而所述第二开口部同时贯穿所述第一绝缘层和所述硅衬底。

8.如权利要求7所述的光掩膜结构的制作方法，其特征在于，还包括：在所述第一绝缘层、所述第二绝缘层、所述硅衬底和所述硅顶层中的任一层的边缘区域蚀刻出对位标记，所述对位标记形成在所述第二开口部的外围。

9.如权利要求6至8中任一项所述的光掩膜结构的制作方法，其特征在于，将所述第二开口部与所述第一开口部相连通包括：将所述第二开口部所在区域的中间绝缘层蚀刻掉，以使所述第二开口部从所述硅衬底延伸到所述中间绝缘层并与所述第一开口部相连通。

10.如权利要求6所述的光掩膜结构的制作方法，其特征在于，所述中间绝缘层为第一中间绝缘层，且所述SOI基板还包括硅中间层和第二中间绝缘层，所述第一中间绝缘层、所述硅中间层和所述第二中间绝缘层依序层叠设置在所述硅衬底和所述硅顶层之间，并且将所述第二开口部与所述第一开口部相连通包括：在所述第二开口部所在区域形成同时贯穿所述第一中间绝缘层、所述硅中间层和所述第二中间绝缘层的第三开口部，以使所述第二开口部通过所述第三开口部与所述第二开口部相连通，其中所述第三开口部的开口面积大于所述第一开口部但小于所述第二开口部。