[发明专利]陶瓷变换元件、具有它的半导体芯片及其制造方法

权利要求书

1.陶瓷变换元件（1），具有：

－活性的陶瓷层（2），其适于将第一波长范围的电磁辐射转换成与第一波长范围不同的第二波长范围的电磁辐射，

－载体层（3），其对于第一波长范围的辐射和/或第二波长范围的辐射来说是可透过的，并且由陶瓷材料构成，其中载体层（3）具有给变换元件赋予特定的色彩的颜料。

2.根据权利要求1所述的陶瓷变换元件（1），其具有唯一的活性的陶瓷层（2）和唯一的载体层（3）。

3.根据权利要求1或2所述的陶瓷变换元件（1），其中活性的陶瓷层（2）具有以下发光物质之一：用稀土金属掺杂的石榴石、用稀土金属掺杂的碱土硫化物、用稀土金属掺杂的硫化镓、用稀土金属掺杂的铝酸盐、用稀土金属掺杂的硅酸盐、用稀土金属掺杂的碱土氮化硅、用稀土金属掺杂的氮氧化物、用稀土金属掺杂的氮化硅。

4.根据权利要求1或2所述的陶瓷变换元件（1），其中活性的陶瓷层（2）具有以下发光物质之一：用稀土金属掺杂的正硅酸盐、用稀土金属掺杂的氯硅酸盐、用稀土金属掺杂的氮氧化铝、硅铝氧氮陶瓷。

5.根据权利要求1或2所述的陶瓷变换元件（1），其中活性的陶瓷层（2）具有小于或等于100μm的厚度。

6.根据权利要求5所述的陶瓷变换元件（1），其中活性的陶瓷层（2）具有小于或等于50μm的厚度。

7.根据权利要求6所述的陶瓷变换元件（1），其中活性的陶瓷层（2）具有小于或等于25μm的厚度。

8.根据权利要求1或2所述的陶瓷变换元件（1），其中活性的陶瓷层（2）由具有活性剂的发光物质构成，所述活性剂的浓度具有在含2％和含5％之间的值。

9.根据权利要求1或2所述的陶瓷变换元件（1），其中载体层（3）由陶瓷材料构成。

10.根据权利要求1或2所述的陶瓷变换元件（1），所述陶瓷变换元件（1）具有在含200μm和含50μm之间的厚度。

11.根据前述权利要求1或2所述的陶瓷变换元件（1），所述陶瓷变换元件（1）具有在含180μm和含50μm之间的厚度。

12.根据权利要求1或2所述的陶瓷变换元件（1），其中在活性层（2）和载体层（3）之间布置抑制层（5），该抑制层（5）适于减少活性剂离子从活性层（2）到载体层（3）中的扩散。

13.根据权利要求12所述的陶瓷变换元件（1），其中抑制层（5）具有不大于5μm的厚度。

14.根据权利要求1或2所述的陶瓷变换元件（1），其中

－载体层（3）具有散射中心（4），所述散射中心由陶瓷颗粒构成，其中陶瓷颗粒的材料与载体层的陶瓷材料不同，并且

－散射中心（4）适于对第一波长范围的电磁辐射和/或第二波长范围的电磁辐射进行散射。

15.发射辐射的半导体芯片，具有：

－半导体本体（6），其适于从辐射出射面（8）发出第一波长范围的电磁辐射，和

－根据权利要求1或2所述的陶瓷变换元件（1），其具有活性的陶瓷层（2），所述活性的陶瓷层（2）适于将第一波长范围的辐射转换成与第一波长范围不同的第二波长范围的辐射。

16.根据权利要求15所述的发射辐射的半导体芯片，其中变换元件（1）的活性的陶瓷层（2）直接接触地施加到半导体本体（6）的辐射出射面（8）上。

17.根据权利要求15所述的发射辐射的半导体芯片，其发出具有在含4000K和含6000K之间的色温的混色的白光。

18.用于制造根据权利要求1或2所述的陶瓷变换元件（1）的方法，具有步骤：

－提供载体层（3）或者作为载体层（3）的基础的未烧结膜（12），

－施加作为活性的陶瓷层（2）的基础的未烧结膜（14）或者施加作为活性的陶瓷层（2）的基础的分散粉末到载体层（3）上或者到充当载体层（3）的基础的未烧结膜（12）上，和

－对层复合体进行烧结。