[发明专利]一种集成电路芯片反向工程的定位方法有效
| 申请号： | 201510459284.5 | 申请日： | 2015-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN105046007B | 公开（公告）日： | 2019-01-18 |
| 发明（设计）人： | 陈强;陈胜;刘迪 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50;H01L21/82 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 集成电路 芯片 反向 工程 定位 方法 | ||
1.一种集成电路芯片反向工程的定位方法，其特征在于，红外光学显微镜拍摄的样品的背面照片能够显示样品前段各层次的图像，根据上述图像中有源区AA的图像，可以确定目标器件的位置，针对上述确定的目标器件的位置，通过FIB的离子束从样品正面切割开口，通过离子束轰击的方式从开口区域进入样品去除其内部层次，其中，内部层次包含保护层、多层金属、介于不同金属层之间的以及介于金属与栅极之间非导电介质和金属连接孔，直到器件特征尺寸的可量测层，然后进行量测确认是否为目标器件。
2.如权利要求1所述的一种集成电路芯片反向工程的定位方法，其特征在于，所述FIB在样品正面的切割开口区域的尺寸为5*5～10*10平方微米。
3.如权利要求1所述的一种集成电路芯片反向工程的定位方法，其特征在于，所述器件特征尺寸的可量测层是指接触孔cont层或多晶poly层。
4.如权利要求1所述的一种集成电路芯片反向工程的定位方法，其特征在于，所述器件特征尺寸是指决定器件技术节点的关键尺寸，包括接触孔cont的孔径和多晶poly的线宽和长度。
5.一种集成电路芯片反向工程的定点制样方法，其步骤为：
步骤S1 使用红外光学显微镜从样品背面拍摄拍照，红外光学显微镜拍摄的样品的背面照片能够显示样品前段各层次的图像，并拼接整个芯片的背面图案；
步骤S2 根据上述图像中有源区AA的图像，标注目标器件可能出现的所有位置；
步骤S3 按照片位置逐一检测，寻找目标器件；
步骤S3a 通过FIB的离子束，从样品正面的指定位置切割开口；
步骤S3b 通过离子束轰击的方式去除开口区域样品内部层次，直到特征尺寸的可量测层，其中，内部层次包含保护层、多层金属、介于不同金属层之间的以及介于金属与栅极之间非导电介质和金属连接孔；
步骤3c 测量特征尺寸，与目标器件比较，确定结果；
移动到下一个标注的位置，重复上述步骤S3，直到找到目标器件；
步骤S4 按常规后续工序完成制样。
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