[发明专利]SONOS Flash存储器电路结构

说明书

技术领域

本发明涉及半导体器件设计领域，特别是指一种SONOS Flash存储器电路结构。

背景技术

如图1所示，为SONOS Flash存储器的电路结构示意图，其是由多个存储单元形成的矩阵结构。每个存储单元包含一选择管及一SONOS管，选择管的漏极与SONOS管的源极相连，SONOS管的漏极接位线，选择管的源极接源线；所述选择管的栅极接字线，SONOS管的栅极接第二字线；位线的一端接SA控制信号(SA:Sense Amplifier,灵敏放大器)，所述源线上还接有一控制管M1，所述控制管的栅极接读写信号Vpwr；控制管M1串接于源线中，源线通过控制管M1接地。

位线BL包含如图1中所示的等效位线电阻R_BL，源线SL包含等效源线电阻R_SL。

所述的存储单元以行列方式排列，位于同一行上的所有存储单元的选择管的栅极都接在对应该行的同一字线上，位于同一行上的所有存储单元的SONOS管的栅极都接在对应该列的同一第二字线WLS上，同一列上的所有存储单元的选择管的源极都接在同一源线SL上，同一列上的SONOS管的漏极都接在同一位线BL上。

这种电路结构在存储单元进行read操作时，由于控制管M1与SA控制信号均位于存储阵列的同侧，read的路径需要由SA经过位线、到达地址被选中的存储单元流经SONOS管N2和选择管N1，再经过源线回到控制管M1，整个read路径由图1中的箭头所示，最短read路径为0，其最长数据流通路径为R_BL+R_SL。因此，此read路径较长，当位线BL及源线SL的等效电阻较大时，不同存储单元的read延迟或容差对存储器的性能会影响很大，需要尽量减少存储器read路径。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种SONOS Flash存储器电路结构，提高器件的read性能，同时降低对工艺的要求。

为解决上述问题，本发明所述的SONOS Flash存储器电路结构，包括：由存储单元组成的矩阵结构，每个存储单元包含有一选择管及一SONOS管，选择管的漏极与SONOS管的源极相连，SONOS管的漏极接位线，选择管的源极接源线；所述选择管的栅极接字 线，SONOS管的栅极接第二字线；位线的一端接SA控制信号；

所述的存储单元以行列方式排列，位于同一行上的所有存储单元的选择管的栅极都接在对应该行的同一字线上，位于同一行上的所有存储单元的SONOS管的栅极都接在对应该列的同一第二字线上，同一列上的所有存储单元的选择管的源极都接在同一源线上，同一列上的SONOS管的漏极都接在同一位线上；

所述源线上还接有一控制管，所述控制管的栅极接读写信号；

所述控制管与SA分别位于存储单元阵列的两侧，读路径是从SA输入端经过存储单元、源线到达位于另一侧的控制管。

进一步地，所述存储器电路还包含有串接于位线中的位线等效电阻R_BL，以及串接于源线中的等效源线电阻R_SL。

进一步地，当进行读操作时，数据从SA依次经位线等效电阻、SONOS管、选择管，再通过控制管；或者从SA依次经SONOS管、选择管、源线等效电阻，再通过控制管，减少数据流通路径。

本发明所述的SONOS Flash存储器电路结构，通过调整控制管在存储单元阵列中的位置，使存储器read路径得到优化，最长路径减小一半，同时在金属线电阻较大时提升工艺容差。

附图说明

图1是传统存储器存储电路结构示意图。

图2是本发明存储器存储电路结构示意图。

具体实施方式

本发明所述的SONOS Flash存储器电路结构如图2所示，是由多个存储单元组成的行列矩阵结构，每个存储单元包含有一选择管N1及一SONOS管N2，选择管N1的漏极与SONOS管N2的源极相连，SONOS管N2的漏极接位线BL，选择管N1的源极接源线SL；所述选择管N1的栅极接字线WL，SONOS管N2的栅极接第二字线WLS；位线的一端接SA控制信号。

所述的存储单元以行列方式排列，位于同一行上的所有存储单元的选择管的栅极都接在对应该行的同一字线WL上，位于同一行上的所有存储单元的SONOS管的栅极都接在对应该列的同一第二字线WLS上，同一列上的所有存储单元的选择管N1的源极都接 在同一源线SL上，同一列上的SONOS管的漏极都接在同一位线BL上。