[发明专利]获取输入电磁干扰在片上电源上的二维分布的方法和片上电源

权利要求书

1.一种获取输入电磁干扰在片上电源上的二维分布的方法，其特征在于其包括：

S10：获取所述片上电源中传感器阵列产生的阵列噪声，其中，所述阵列噪声为所述传感器阵列中若干个传感器产生的单位噪声叠加形成；

S20：向所述片上电源输入干扰信号，检测所述阵列噪声的频谱偏移量，根据所述频谱偏移量获取所述传感器阵列中至少一个传感器对应的单位频率偏移量；

S30：根据所述单位频率偏移量计算该传感器所在位置的干扰强度，根据多个传感器对应的干扰幅度，获取所述片上电源的二维分布。

2.根据权利要求1所述的获取输入电磁干扰在片上电源上的二维分布的方法，其特征在于，步骤S30包括：

将所述传感器对应的所述单位频率偏移量与该传感器对应的所述单位噪声相除，通过逆向标定方程进行转换得到所述传感器所在位置的干扰强度；

根据多个传感器所在位置的干扰强度，得到所述片上电源的二维分布。

3.根据权利要求1所述的获取输入电磁干扰在片上电源上的二维分布的方法，其特征在于，步骤S20包括：

从所述片上电源的电源引脚输入所述干扰信号。

4.一种获取输入电磁干扰二维分布的片上电源，包括主体电源，其特征在于：所述主体电源设有传感器阵列，所述传感器阵列包括分布于所述主体电源内的若干传感器。

5.根据权利要求4所述的获取输入电磁干扰二维分布的片上电源，其特征在于，所述传感器阵列的传感器均匀分布于所述片上电源。

6.根据权利要求5所述的获取输入电磁干扰二维分布的片上电源，其特征在于，所述传感器包括环形振荡器和与所述环形振荡器连接的噪声源，所述环形振荡器包括若干串联的反相电路。

7.根据权利要求6所述的获取输入电磁干扰二维分布的片上电源，其特征在于，所述噪声源包括半导体电容和/或所述片上电源的寄生电容。