[发明专利]一种CT结构太赫兹交叉耦合波导滤波器

权利要求书

1.一种CT结构太赫兹交叉耦合波导滤波器，由上至下包括上层、中层及下层结构，其特征在于，所述上层结构包括输入波导(101)，输出波导(105)；所述中层结构包括交叉耦合膜片(104)，第一矩形谐振腔(201)、第二矩形谐振腔(202)、第三矩形谐振腔(203)的上部；所述下层结构包括第一耦合膜片(102)、第二耦合膜片(103)，第一矩形谐振腔(201)、第二矩形谐振腔(202)、第三矩形谐振腔(203)的下部；所述第一矩形谐振腔(201)、第二矩形谐振腔(202)、第三矩形谐振腔(203)的上部和相应下部上下盖合构成完整的谐振腔体；输入波导(101)和输出波导(105)、第一矩形谐振腔(201)和第三矩形谐振腔(203)、第一耦合膜片(102)和第二耦合膜片(103)分别为左右对称形式；

所述输入波导(101)的一端为滤波器的输入端，其另一端通过设置在其宽边所在面上的耦合窗与第一矩形谐振腔(201)上部的上表面的一端连接，第一矩形谐振腔(201)上部远离输入波导(101)一端的侧面通过交叉耦合膜片(104)与第三矩形谐振腔(203)的上部侧面连接，所述第一矩形谐振腔(201)的下部另一侧面通过第一耦合膜片(102)与第二矩形谐振腔(202)的下部侧面连接；所述第三矩形谐振腔(203)的下部另一侧面通过第二耦合膜片(103)与第二矩形谐振腔(202)的下部侧面连接，第一耦合膜片(102)、第二耦合膜片(103)连接于第二矩形谐振腔的同一侧面上；第三矩形谐振腔(203)的上部通过设置在其远离交叉耦合膜片(104)一端的上表面上的耦合窗与输出波导(105)宽边所在下表面的一端连接；输出波导(105)的另一端即为滤波器的输出端；所述第二矩形谐振腔(202)工作于TE102模，第一矩形谐振腔(201)和第三矩形谐振腔(203)工作在TE101模。

2.根据权利要求1所述的CT结构太赫兹交叉耦合波导滤波器，其特征在于，还包括外接输入波导(301)、外接输出波导(308)、第一过渡波导(302)、第二过渡波导(303)、第三过渡波导(306)、第四过渡波导(307)、弯波导(304、305)；

所述滤波器的输入端(111)位于外接输入波导(301)的上侧，外接输入波导(301)的下侧连接第一过渡波导(302)，第一过渡波导(302)的另一端与第二过渡波导(303)连接，第二过渡波导(303)另一端经由弯波导(304)与输入波导(101)连接；

输出波导(105)经弯波导(305)与第三过渡波导(306)连接，第三过渡波导(306)通过第四过渡波导(307)与外接输出波导(308)的上侧连接，外接输出波导(308)的下侧即为滤波器的输出端(112)。

3.根据权利要求1所述的CT结构太赫兹交叉耦合波导滤波器，其特征在于，所述上层结构、中层结构及下层结构的高度均相同且等于工作频段对应标准矩形波导的窄边长度的二分之一。

4.根据权利要求3所述的CT结构太赫兹交叉耦合波导滤波器，其特征在于，所述第一、第二、第三矩形谐振腔（201、202、203）的高度相同且等于所述标准矩形波导的窄边长度。

5.一种如权利要求1所述的CT结构太赫兹交叉耦合波导滤波器的制作方法，具体包括以下步骤：

步骤1.初始化滤波器结构：由于采用SU-8分层厚膜工艺进行加工，为便于加工，将滤波器分为厚度相等的所述上层、中层及下层结构；

步骤2.在硅基体上铺设一层液态SU-8后烘培；

步骤3.经软烘培，SU-8呈固态；

步骤4.依据所述该层结构的腔体形状，在SU-8表面铺设掩膜后曝光；

步骤5.经曝光之后，该层结构的腔体形状则实现定型；

步骤6.结构定型后将硅基体和未曝光的部分SU-8移除，得到该层结构对应腔体；

步骤7.在腔体表面溅射金属；

步骤8.重复执行步骤2至步骤7，即可分别得到滤波器的上层、中层及下层结构，层与层之间通过定位销来连接。