[发明专利]具有调谐微结构的数据读取器

权利要求书

1.一种方法，包括：

冷却基板至100K或更低的温度；和

在该基板保持所述温度的同时，在该基板上沉积至少一层数据读取器，从而提供调谐微结构，该调谐微结构包含颗粒尺寸、颗粒尺寸分布、多层数据读取器之间的界面质量、阻抗-面积积和磁阻。

2.如权利要求1所述的方法，其中在沉积所述数据读取器的固定磁化参考层和/或磁性自由层期间保持所述基板的温度。

3.如权利要求1所述的方法，其中在沉积所述数据读取器的多个层期间所述低温温度发生改变。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述至少一层数据读取器包含具有界面表面的磁性层，所述界面表面具有降低的粗糙度。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述冷却的基板对应于磁阻增加、数据读取器各层之间的耦合减少和/或数据读取器的阻抗-面积积下降。

6.如权利要求4所述的方法，其中含MgO的势垒层随后于室温或室温以上沉积在所述界面表面上。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述基板在沉积步骤中旋转。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述基板在沉积步骤中为静态。

9.如权利要求1所述的方法，其中所述基板在沉积步骤中冷却。

10.如权利要求1所述的方法，其中所述基板同时容纳多个分离的数据读取器。

11.一种方法，包括：

在第一腔室冷却基板至100K或更低的温度；和

在该基板保持所述温度的同时于第二腔室中在该基板上沉积至少一层第一数据读取器，从而提供调谐微结构，该调谐微结构包含颗粒尺寸、颗粒尺寸分布、多层数据读取器之间的界面质量、阻抗-面积积和磁阻。

12.如权利要求11所述的方法，其中，在沉积所述第一数据读取器的多个层中的每个层时，低温冷却气体接触所述基板的第二表面。

13.如权利要求11所述的方法，其中所述多个层形成磁性堆叠件，该磁性堆叠件的磁阻相比非原位沉积的第二数据读取器增加5-50%。

14.如权利要求11所述的方法，其中同时冷却和沉积优化基板温度均匀度、可重复性和操控，对应于增加的晶片内均匀度、晶片间均匀度和吞吐量。

15.一种装置，所述装置包含位于基板上的数据读取器，所述数据读取器的至少一个层具有与基板维持在100K或更低的温度相对应的调谐微结构，所述调谐微结构包含颗粒尺寸、颗粒尺寸分布、多层数据读取器之间的界面质量、阻抗-面积积和磁阻。

16.如权利要求15所述的装置，其中所述数据读取器包含磁性层和非磁性层的磁性堆叠件层压结构。

17.如权利要求16所述的装置，其中所述磁性堆叠件层压结构是空气承载表面(ABS)上没有固定磁化的磁性堆叠件。

18.如权利要求16所述的装置，其中所述磁性堆叠件层压结构是空气承载表面(ABS)上具有固定磁化的磁阻元件。

19.如权利要求15所述的装置，其中温度为50K或更低。

20.如权利要求15所述的装置，其中所述数据读取器的至少一个层包含下述之一：Co、Fe、Ta、CoFe_x、CoFe_xTa_y、CoFe_xB_yTa_z、NiFe_x、NiFe_xZr_y和NiFe_xNb_y。