[发明专利]目标基板、光刻测量方法和基板

权利要求书

1.一种用于光刻测量的目标基板，包括：

基板；

特征图案，在所述基板上；和

亚波长光栅标记，相对于所述基板在与所述特征图案相同的水平上，所述亚波长光栅标记包括以第一节距间隔开的多个衍射图案，该亚波长光栅标记配置为测量影响所述特征图案的形成的焦距变化，

其中所述焦距变化基于被所述多个衍射图案衍射的输出光束当中的零级衍射光束中包括的横向电(TE)偏振光分量与横向磁(TM)偏振光分量的数据确定。

2.如权利要求1所述的用于光刻测量的目标基板，其中所述亚波长光栅标记和所述特征图案包括相同的材料。

3.如权利要求1所述的用于光刻测量的目标基板，其中所述第一节距小于用于测量所述焦距变化的辐射束的波长。

4.如权利要求1所述的用于光刻测量的目标基板，其中每个所述衍射图案具有矩形截面形状。

5.如权利要求1所述的用于光刻测量的目标基板，其中每个所述衍射图案具有倾斜侧壁。

6.一种用于光刻测量的目标基板，包括：

在基板上的微型基于衍射的套刻标记，该微型基于衍射的套刻标记包括多个第一衍射图案，每个第一衍射图案具有第一宽度作为最小宽度；和

在所述基板上的亚波长光栅标记，该亚波长光栅标记包括多个第二衍射图案，每个第二衍射图案具有小于所述第一宽度的宽度，

其中所述亚波长光栅标记配置为测量影响所述基板上的多个特征图案的形成的焦距变化，

其中所述焦距变化基于被所述多个第二衍射图案衍射的输出光束当中的零级衍射光束中包括的TE偏振光分量与TM偏振光分量的数据确定。

7.如权利要求6所述的用于光刻测量的目标基板，其中

所述微型基于衍射的套刻标记位于所述基板上的第一区域内，并且

所述亚波长光栅标记位于所述基板的在所述第一区域内的第二区域中并被所述多个第一衍射图案围绕。

8.如权利要求6所述的用于光刻测量的目标基板，其中

所述微型基于衍射的套刻标记配置为测量所述基板上的所述多个特征图案的套刻误差。

9.如权利要求8所述的用于光刻测量的目标基板，其中

所述第二衍射图案具有彼此平行的各个线形状，并且

所述第二衍射图案和所述特征图案是相同的材料。

10.一种光刻测量方法，包括：

经由光刻在目标基板上的相同水平上形成多个特征图案和以第一节距间隔开的多个衍射图案；

照射辐射束到所述多个衍射图案上，该辐射束具有比所述第一节距大的波长；

从响应于所述辐射束被所述多个衍射图案衍射的输出光束当中的零级衍射光束检测关于TE偏振光分量和TM偏振光分量的数据；以及

基于关于所述TE偏振光分量和所述TM偏振光分量的数据，确定在所述光刻期间影响所述多个特征图案的形成的焦距变化。

11.如权利要求10所述的光刻测量方法，其中照射辐射束包括在相对于与所述目标基板延伸的方向垂直的方向的±89°的角度范围内照射偏振光到所述目标基板上。

12.如权利要求10所述的光刻测量方法，其中

检测关于TE偏振光分量和TM偏振光分量的数据包括：检测所述TE偏振光分量和所述TM偏振光分量之间的相位差，以及

确定焦距变化包括：

基于所述相位差确定所述多个衍射图案的每个的高度；和

基于所述多个衍射图案的每个的高度确定所述焦距变化。