[发明专利]一种以镓液滴作为缓冲层外延GaN的结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201510453824.9 | 申请日： | 2015-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN105070804A | 公开（公告）日： | 2015-11-18 |
| 发明（设计）人： | 逯瑶;曲爽;王成新;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/00;H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 济南日新专利代理事务所 37224 | 代理人： | 王书刚 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 镓液滴 作为 缓冲 外延 gan 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种以镓液滴作为缓冲层外延GaN的结构，自下而上依次设置有衬底、缓冲层和GaN层，其特征是，所述缓冲层为镓液滴层，镓液滴层生长在衬底上，镓液滴层上外延GaN层。
2.根据权利要求1所述的以镓液滴作为缓冲层外延GaN的结构，其特征是，所述衬底厚度为100μm-1000μm。
3.根据权利要求1所述的以镓液滴作为缓冲层外延GaN的结构，其特征是，所述镓液滴层的厚度为2nm-5000nm，层数为1-30层。
4.根据权利要求1所述的以镓液滴作为缓冲层外延GaN的结构，其特征是，所述GaN层的厚度为2μm-8μm。
5.一种权利要求1所述以镓液滴作为缓冲层外延GaN的结构的制备方法，其特征是，包括以下步骤：
(1)采用金属有机物化学气相沉积法，在厚度为100μm-1000μm的衬底层上进行镓液滴沉积，制备镓液滴层，其生长温度为50℃-1500℃，反应室压力为80-300mbar，生长速率为1nm/分钟-100nm/分钟，使用的载气为氮气和氢气混合气，且氮气和氢气的体积比为1-5∶5-1；镓液滴层的层数为1-30层；
(2)在镓液滴层上采用金属有机物化学气相沉积法生长GaN层，生长速率为0.5μm/小时-8μm/小时，生长温度为900-1200℃，厚度为2μm-8μm，使用的载气为氮气和氢气混合气1:50-25:2。
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