[发明专利]基于磁等离子激元单向腔的四端口太赫兹波环行器有效

专利信息
申请号: 201510452957.4 申请日: 2015-07-29
公开(公告)号: CN105070996B 公开(公告)日: 2018-09-14
发明(设计)人: 刘珂鑫;何赛灵 申请(专利权)人: 常熟浙瑞亘光电技术有限公司
主分类号: H01P1/38 分类号: H01P1/38
代理公司: 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 代理人: 滕诣迪
地址: 215500 江苏省苏州市常*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 基于 等离子 单向 端口 赫兹 环行器
【权利要求书】:

1.一种基于磁等离子激元单向腔的四端口太赫兹波环行器,其特征在于:包括一个圆形腔(1)、第一波导(2)、第二波导(3),第一波导(2)和第二波导(3)平行,圆形腔(1)位于第一波导(2)和第二波导(3)之间,第一波导(2)的端口为P1、P2,第二波导(3)的端口为P3、P4;外加磁场垂直于圆形腔(1)的表面,通过改变外加磁场的方向改变圆形腔(1)中的磁等离子激元单向环行传播的方向,从第一波导(2)和第二波导(3)的各端口传输进来的太赫兹波的方向与圆形腔(1)的磁等离子激元的耦合情况决定太赫兹波的输出端口,所述的从第一波导(2)和第二波导(3)的各端口传输进来的太赫兹波与圆形腔(1)的磁等离子激元的耦合情况决定太赫兹波的输出端口具体如下:如果第一波导(2)和第二波导(3)的各端口传输进来的太赫兹波与圆形腔(1)的磁等离子激元耦合则从另一波导的同侧端口输出;如果第一波导(2)和第二波导(3)的各端口传输进来的太赫兹波与圆形腔(1)的磁等离子激元不耦合则从同一波导的另一端口输出。

2.根据权利要求1所述的基于磁等离子激元单向腔的四端口太赫兹波环行器,其特征在于:圆形腔(1)为半导体材料。

3.根据权利要求2所述的基于磁等离子激元单向腔的四端口太赫兹波环行器,其特征在于:所述的圆形腔(1)半导体材料包括InSb、GaAs、InAs及n掺杂或p掺杂的Si。

4.根据权利要求2或3所述的基于磁等离子激元单向腔的四端口太赫兹波环行器,其特征在于:圆形腔(1)为平面结构,利用标准光刻技术或者激光直写方式,在所述半导体材料上加工而成。

5.根据权利要求1所述的基于磁等离子激元单向腔的四端口太赫兹波环行器,其特征在于:通过改变外加磁场的方向改变圆形腔(1)中的磁等离子单向环行传播方向,单向环行传播方向为顺时针或逆时针方向。

6.根据权利要求1所述的基于磁等离子激元单向腔的四端口太赫兹波环行器,其特征在于:所述第一波导(2)和第二波导(3)为金属波导或者介质波导,支持太赫兹波在其中传播。

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