[发明专利]一种印刷型发光二极管显示器件及其制作方法

说明书

本发明公开一种印刷型发光二极管显示器件及其制作方法，其中，方法包括步骤：A、在具有TFT阵列的基板上制作导电薄膜，然后通过构图工艺在基板上形成与TFT阵列漏极相连的底电极；B、在基板上涂布一层含有黑色染料的负性光刻胶，然后通过构图工艺在底电极四周形成子像素的像素坑；C、在基板上涂布一层含有黑色染料的正性光刻胶，然后通过构图工艺在子像素的像素坑上形成用于将各列子像素隔离的隔离柱；D、利用印刷工艺在子像素列中依次沉积发光二极管的中间各功能层；E、在中间各功能层顶部制作导电薄膜形成顶电极。本发明通过在子像素的Bank上制备一系列隔离柱，解决了颜色串扰的问题，提高了显示效果以及产品良率，时提高产出效率。

技术领域

本发明涉及显示器件领域，尤其涉及一种印刷型发光二极管显示器件及其制作方法。

背景技术

在信息社会的当代，作为可视信息传输媒介的显示器件的重要性在进一步加强，为了在未来占据主导地位，显示器件正朝着更轻、更薄、更低能耗、更低成本以及更好图像质量的趋势发展。

有机电致发光二极管（OLED）具有自发光、反应快、视角广、亮度高、轻薄等优点，量子点发光二极管（QLED）则具有光色纯度高、发光量子效率高、发光颜色易调、使用寿命长等优点，这二者是目前显示器件研究的两个主要方向。OLED的制备工艺主要有真空蒸镀和溶液加工，QLED的制备工艺主要是溶液加工。其中OLED的真空蒸镀在小尺寸器件的应用方面已经较为成熟，目前已处于量产中，但生产成本依然居高不下。OLED和QLED的溶液加工主要有喷墨打印、喷嘴涂覆、旋涂、丝网印刷等，其中的印刷工艺，尤其是喷墨打印技术由于材料利用率高、可以实现大尺寸化以及易于实现彩色化，被认为是大尺寸OLED和QLED显示器件实现低成本量产的重要方式。

在采用印刷工艺制备发光二极管显示器件的过程中，在TFT阵列上，用Bank定义子像素的像素坑，然后在各子像素内分别沉积红、绿、蓝各色发光二极管。由于印刷工艺中墨水的黏度以及浓度相对较小，因此沉积在像素坑内的墨水通常会溢出像素坑，这样容易引起相连各色像素的颜色串扰，从而导致显示器件显示效果下降。目前较为常用的方法是对Bank做疏水处理，防止相连像素间墨水串扰，对于这种工艺，也仅适用于按需式喷墨打印，对于更高输出的连续式喷墨打印以及喷嘴涂覆，这种像素结构较难防止颜色串扰。此外，由于其Bank具有一定的透光性，因此显示时不同颜色的子像素之间可能发生混色，导致颜色纯度降低。

因此，现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种印刷型发光二极管显示器件及其制作方法，旨在解决现有的印刷型发光二极管在制作过程中容易发生颜色串扰、混色等问题。

本发明的技术方案如下：

一种印刷型发光二极管显示器件的制作方法，其中，包括步骤：

A、在具有TFT阵列的基板上制作导电薄膜，然后通过构图工艺在基板上形成与TFT阵列漏极相连的底电极；

B、在基板上涂布一层含有黑色染料的负性光刻胶，然后通过构图工艺在底电极四周形成子像素的像素坑；

C、在基板上涂布一层含有黑色染料的正性光刻胶，然后通过构图工艺在子像素的像素坑上形成用于将各列子像素隔离的隔离柱；

D、利用印刷工艺在子像素列中依次沉积发光二极管的中间各功能层；

E、在中间各功能层顶部制作导电薄膜形成顶电极。

所述的印刷型发光二极管显示器件的制作方法，其中，所述底电极为反射电极，其材质为Ca、Mg、Al、Ag、Au、Ba、Cu中的一种金属或多种金属合金。

所述的印刷型发光二极管显示器件的制作方法，其中，所述像素坑的厚度为100~1000nm。