[发明专利]一种八重樱组培快繁方法在审

专利信息
申请号: 201510448520.3 申请日: 2015-07-28
公开(公告)号: CN105010144A 公开(公告)日: 2015-11-04
发明(设计)人: 樊仲书;曾毓;张玉华;陈天增;樊昌华 申请(专利权)人: 福建世纪金花科技有限公司
主分类号: A01H4/00 分类号: A01H4/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 364000 福建*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 八重樱组培快繁 方法
【权利要求书】:

1.一种八重樱组培快繁方法,其特征在于该方法包括以下步骤:

(1)外植体的选择:春季睛天上午剪取新发枝条处于半木质化状态的嫩芽穗条作为外植体;

(2)外植体的消毒及组培苗诱导培养:将从母体上切下的嫩芽穗条用饱和漂白粉上清液中浸泡20min,浸泡过程中不断搅动,浸泡后的穗条用水冲洗,然后用滤纸擦干,置于超净工作台上,先用75%的乙醇浸泡15s,接着将外植体置于0.1%升汞中浸泡8min,接着用无菌水冲洗6遍,然后接种到诱导培养基上,诱导培养基为改良MS培养基附加1.5 mg·L-1 6-BA,0.1 mg·L-1 NAA,蔗糖30 g·L-1和卡拉胶6 g·L-1,置于恒温生化培养箱中培养;诱导培养条件为,温度25±2℃,光照12/d,光照强度1000LX;

(3)组培苗增殖培养:诱导培养30d后,将不定芽单个切下,接种到已配备好的增殖培养基上,增殖培养基为改良MS培养基附加1.2 mg·L-1 6-BA,0.1 mg·L-1 NAA,蔗糖30 g·L-1和卡拉胶6 g·L-1;在培养过程中,观察其生长现象,30d后其增殖系数为3.0;增殖培养条件为,温度25±2℃,光照12/d,光照强度2000LX;

(4)组培苗生根培养:增殖培养30d后,挑选健壮且单芽高1.5-2.5cm,接种到已配备好的生根培养基上,生根培养基为1/2改良MS培养基附加0.5 mg·L-1 I-BA,0.2 mg·L-1 NAA,蔗糖30 g·L-1和卡拉胶6 g·L-1),在培养过程中,观察其生长现象,30d后其生根率为95%,苗高达2.5-3.5cm,即可出苗种植;生根培养条件为,温度25±2℃,光照12/d,光照强度2000LX。

2.根据权利要求1所述的一种八重樱组培快繁方法,其特征在于所述的改良MS培养基配方为  。

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