[发明专利]低温多晶硅阵列基板及其制造方法、显示装置

说明书

本发明提出了一种低温多晶硅阵列基板及其制造方法、显示装置。该方法包括在电极上形成平坦层，平坦层依次经过清洗、去水烘烤、疏水化处理、光阻涂布、真空干燥、预烘烤、曝光、显影、烘烤、灰化工序而形成，其中，烘烤的工序中包括至少两次烘烤温度不同的烘烤。通过上述方法能起到对平坦层的有机膜初步固化作用，从而改善过孔处因光阻流动性而导致的Taper角过小的问题。

技术领域

本发明涉及液晶显示面板生产技术领域，尤其是涉及一种低温多晶硅阵列基板及其制造方法、显示装置。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器可分为多晶硅阵列基板和非晶硅阵列基板，两者的差异在于电晶体特性不同。多晶硅的分子结构在一颗晶粒中的排列状态是整齐而有方向性的，因此电子移动率比排列杂乱的非晶硅快了很多倍。而多晶硅产品则包括高温多晶硅(HTPS)和低温多晶硅(LTPS)两种产品。

低温多晶硅薄膜晶体管液晶显示器是在封装过程中，利用准分子镭射作为热源，镭射光经过折射系统后，会产生能量均匀分布的镭射光束，投射于非晶硅结构的玻璃基板上，当非晶硅结构玻璃基板吸收准分子镭射的能量后，会转变为多晶硅结构，因整个处理过程都是在600度以下完成，故一般玻璃基板均可适用。

低温多晶硅液晶显示器具有高分辨率、反应速度快、高亮度、高开口率等优点，加上由于低温多晶硅液晶显示器的硅结晶排量较a-si有次序，使得电子移动率相对于高100倍之上，可以将外围驱动电路同时制作在玻璃基板上，达到系统整合的目标，节省空间及驱动IC的成本，能更好的提高阵列基板的性能，大大改善器件性能。

但是，低温多晶硅阵列基板的制备工艺复杂，有可能造成其表面并不平整，以使得在彩膜基板组立后，间隔柱(PS)在按压后出现偏移，造成漏光风险。

发明内容

针对现有技术中所存在的上述技术问题，本发明提出了一种低温多晶硅阵列基板及其制造方法、显示装置。该方法通过设置平坦层，并且在形成平坦层过程中，经过至少两次烘烤温度不同的烘烤，避免设置在平坦层处的锥度角(Taper角)过小，从而保证低温多晶硅阵列基板的表面的平整。由此，通过本发明降低了间隔柱(PS)在按压后出现偏移，造成漏光的风险。

根据本发明的一方面，提出了一种低温多晶硅阵列基板的制造方法，包括在电极上形成平坦层，平坦层依次经过清洗、去水烘烤、疏水化处理、光阻涂布、真空干燥、预烘烤、曝光、显影、烘烤、灰化工序而形成，其中，烘烤的工序中包括至少两次烘烤温度不同的烘烤。通过这种设置能起到对平坦层的有机膜形成初步固化作用，有助于避免锥度角过小的问题。

在一个实施例中，在烘烤的工序中依次包括后烘烤和烤箱烘烤两步，并且后烘烤的温度低于烤箱烘烤的温度。通过上述方法，在烘烤的工序中设置至少两道烘烤工序，也就是在烤箱烘烤之前至少有一次烘烤，以对平坦层的有机膜形成初步固化作用，从而改善只进行一次烤箱烘烤，过孔因平坦层的光阻流动性而导致的锥度角过小的问题。同时，这种工艺相对简单，不需要添加额外的设备。

在一个实施例中，后烘烤的温度在110-130度之间。优选地，后烘烤的温度为120度。

在一个实施例中，后烘烤的时间为2-4分钟。

在一个实施例中，烤箱烘烤的温度为210-230度。

在一个实施例中，预烘烤的温度为80-100度，并预烘烤的时间为1.5-2分钟。

在一个实施例中，在曝光的工序中依次包括中间曝光和边缘曝光两步。

根据本发明的第二方面，提供一种低温多晶硅阵列基板，低温多晶硅阵列基板采用上述的制造方法制造。

根据本发明的第三方面，提供一种显示装置，包括上述的低温多晶硅阵列基板。