[发明专利]一种波导结构有效
| 申请号： | 201510446433.4 | 申请日： | 2015-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN104991308B | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 边丹丹;陈少武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G02B6/12 | 分类号： | G02B6/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 波导 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种波导结构，其特征在于，其至下而上依次叠置有衬底层、下条形层、狭缝层以及上条形层，其中，该下条形层、该狭缝层以及该上条形层的宽度相等，该下条形层及该上条形层采用正热光系数材料，该狭缝层采用负热光系数材料；所述正热光系数材料为氮化硅，所述负热光系数材料为聚氨酯丙烯酸酯。
2.根据权利要求1所述的波导结构，其特征在于，还包括一个外包层，其包裹在所述衬底层、下条形层、狭缝层以及上条形层的四周。
3.根据权利要求1所述的波导结构，其特征在于，所述下条形层、所述狭缝层以及所述上条形层的宽度均为1194nm～1236nm。
4.根据权利要求1所述的波导结构，其特征在于，所述衬底层的材料为二氧化硅。
5.根据权利要求4所述的波导结构，其特征在于，所述衬底层的厚度为2000nm～4000nm。
6.根据权利要求1所述的波导结构，其特征在于，所述下条形层的厚度为1000nm～1058nm。
7.根据权利要求1所述的波导结构，其特征在于，所述上条形层的厚度为564nm～654nm。
8.根据权利要求1所述的波导结构，其特征在于，所述狭缝层的厚度为129nm～138nm。
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