[发明专利]一种双垄沟播用双配方降解地膜及其制备方法

权利要求书

1.一种双垄沟播用双配方降解地膜，其特征在于，其包括两种添加剂型降解地膜，即中间的第一降解带和设置在第一降解带两侧的第二降解带；

所述第一降解带包括如下重量份数的原料：

线型低密度聚乙烯91-94份，

低密度聚乙烯4.97份，

氧化降解剂0.01份，

抗氧剂0.02份，

碳酸钙母粒0.5-1份，

黑色母粒0-3份；

所述第二降解带包括如下重量份数的原料：

线型低密度聚乙烯90份，

低密度聚乙烯7.97份，

氧化降解剂0.02份，

抗氧剂0.01份，

碳酸钙母粒2份；

所述双垄沟播用双配方降解地膜，采用如下方法制备：步骤（1）：按所述配方，取各组分进行干燥、称重，得到第一降解带和第二降解带原料，备用；

步骤（2）：将步骤（1）所得的两种原料分别装入挤出机的不同料斗，利用双挤出机共同挤出并吹塑成膜；

所述步骤（2）在吹塑出膜时，装有第二降解带地膜原料的挤出机的四区温度比第一降解带地膜原料的挤出机的四区温度每区对应高10~15℃。

2.根据权利要求1所述的降解地膜，其特征在于，所述线型低密度聚乙烯选用熔融指数0.2-2.5的线型低密度聚乙烯。

3.根据权利要求1所述的降解地膜，其特征在于，所述低密度聚乙烯选用熔融指数为0.2-3的低密度聚乙烯。

4.根据权利要求1所述的降解地膜，其特征在于，所述氧化降解剂为以下的一种以上：硬脂酸铁、硬脂酸锰、硬脂酸钴、硬脂酸铜、硬脂酸铈、硬脂酸镧、硬脂酸镨、月桂酸铁、月桂酸锰、月桂酸钴、月桂酸铜、月桂酸铈、月桂酸镧、月桂酸镨、辛酸铁、辛酸锰、辛酸钴、辛酸铜、辛酸铈、辛酸镧、辛酸镨、二甲基二硫代氨基甲酸铁、二乙基二硫代氨基甲酸铈、二乙基二硫代氨基甲酸镧、二乙基二硫代氨基甲酸镨、二丁基二硫代氨基甲酸铁、二丁基二硫代氨基甲酸铈、二丁基二硫代氨基甲酸镧、二丁基二硫代氨基甲酸镨、二甲基二硫代磷酸铁、二甲基二硫代磷酸铈、二甲基二硫代磷酸镧、二甲基二硫代磷酸镨、二乙基二硫代磷酸铁、二乙基二硫代磷酸铈、二乙基二硫代磷酸镧、二乙基二硫代磷酸镨、二丁基二硫代磷酸铁、二丁基二硫代磷酸铈、二丁基二硫代磷酸镧、二丁基二硫代磷酸镨、二氧化钛、氧化铁和氧化锰。

5.根据权利要求1所述的降解地膜，其特征在于，所述抗氧剂为受阻酚型抗氧剂、芳胺叔胺型抗氧剂、亚磷酸酯型抗氧剂、硫酯硫醚型抗氧剂或螯合金属离子的酰肼型抗氧剂的一种以上。

6.根据权利要求1所述的降解地膜，其特征在于，所述碳酸钙母粒中的碳酸钙重量含量为85%~90%，碳酸钙细度为3000目。

7.权利要求1-6任一项所述的降解地膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤（1）：按所述配方，取各组分进行干燥、称重，得到第一降解带和第二降解带原料，备用；

步骤（2）：将步骤（1）所得的两种原料分别装入不同挤出机，利用双挤出机共同挤出并吹塑成膜。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述步骤（2）中双挤出机的四区温度在地膜挤出前均为：1区温度为175℃，2区温度为180℃，3区温度为185℃，4区温度为185℃；模头体的温度为175~180℃，调整环的温度为200℃。

9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述步骤（2）在吹塑出膜时，模头体的温度为175~180℃，调整环的温度为200℃；装有第二降解带地膜原料的挤出机的四区温度比第一降解带地膜原料的挤出机的四区温度每区对应高10~15℃。