[发明专利]一种测试光交换芯片模块性能的方法在审
| 申请号: | 201510444386.X | 申请日: | 2015-07-27 |
| 公开(公告)号: | CN105049114A | 公开(公告)日: | 2015-11-11 |
| 发明(设计)人: | 赵元力;武保剑;廖明乐;耿勇;周星宇;文峰;邱昆 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
| 主分类号: | H04B10/07 | 分类号: | H04B10/07 |
| 代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 李明光 |
| 地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 测试 交换 芯片 模块 性能 方法 | ||
1.一种测试光交换芯片模块性能的方法,包括以下步骤:
步骤1.初始化待测光交换芯片的开关单元配置状态:针对待测光交换芯片任一组指定待测输入、输出端口,“开”状态定义为待测输入端口与待测输出端口之间建立连通光路的状态,反之为“关”状态;同时定义“单端口输入”表示仅有待测输入端口输入光信号,“多端口输入”表示除待测输入端口外还有一个或一个以上输入端口输入光信号;同时,所有输入端口输入光信号为等功率的光信号;
步骤2.在“单端口输入”状态下,配置待测光交换芯片为“开”状态,测量得待测输出端口的输出光频谱曲线P1(f);再配置待测光交换芯片为“关”状态,测量得待测输出端口的输出光频谱曲线P0(f);并计算相应消光比曲线:ERdB=P1dB(f)-P0dB(f),该消光比曲线以dB为单位,P1dB(f)和P0dB(f)分别由P1(f)和P0(f)单位转换得到;
步骤3.在“多端口输入”状态下,配置待测光交换芯片为“开”状态,测量得待测输出端口的输出光频谱曲线再配置待测光交换芯片为“关”状态,此时保持待测输出端口与所有输入端之间为“关”状态,测量得待测输出端口的输出光频谱曲线并计算相应消光比曲线:该消光比曲线以dB为单位,和分别由和单位转换得到;
步骤4.计算待测输入、输出端口在“关”状态下,待测输出端的输出光功率增益为:
步骤5.计算待测输入、输出端口在“开”状态下,待测光交换芯片的串扰性能:CTdB(f)≈10lg(G0dB+ΔERdB)-6.378,其中,
2.按权利要求1所述测试光交换芯片模块性能的方法,其特征在于,所述步骤2、3中测量待测输出端口的输出光频谱曲线的方法为:采用指定谱宽的宽谱光源,通过光谱分析仪一次获得频谱曲线;或者通过设置扫描激光器连续输出指定谱宽的光信号,利用光功率计接收每个频率分量的光功率,最后叠加得到频谱曲线。
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