[发明专利]对聚醚醚酮材料进行表面改性的方法及改性的聚醚醚酮材料在审
| 申请号: | 201510442878.5 | 申请日: | 2015-07-24 |
| 公开(公告)号: | CN105132869A | 公开(公告)日: | 2015-12-09 |
| 发明(设计)人: | 刘宣勇;陆涛;孟凡浩 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号: | C23C14/30 | 分类号: | C23C14/30;C23C14/06;C08L61/16;C08K3/34;C08K7/14 |
| 代理公司: | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人: | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 聚醚醚酮 材料 进行 表面 改性 方法 | ||
1.一种对聚醚醚酮材料进行表面改性的方法,其特征在于,使用电子束蒸发技术,以含有硅元素的生物陶瓷作为蒸发靶材,将硅元素蒸发沉积至聚醚醚酮材料表面,形成含有硅元素的改性层。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述生物陶瓷为硅酸钙、硅酸锶、硅磷酸钙、和锌黄长石中的至少一种,优选为硅酸钙生物陶瓷。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述电子束蒸发技术的工艺参数包括:本底真空度为1×10-4~1×10-2Pa,电子束激发电压20kV以下,电子束电流调节为2A以下,电子束蒸发时间为30分钟以下。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述电子束蒸发技术的工艺参数包括:电子束激发电压8~20kV,电子束电流调节1~2A,电子束蒸发时间为10分钟以下。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述电子束蒸发技术的工艺参数包括:本底真空度为5×10-3Pa,所述电子束激发电压为8.5kV,所述电子束电流调节为1.6A,所述电子束蒸发时间为10分钟以下。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法,其特征在于,所述聚醚醚酮材料为纯聚醚醚酮材料或碳纤维增强聚醚醚酮材料。
7.一种由权利要求1至6中任一项所述的方法改性得到的表面改性聚醚醚酮材料,其特征在于,所述表面改性聚醚醚酮材料的表面具有硅元素,硅元素原子百分比例为20%以下。
8.根据权利要求7所述的表面改性聚醚醚酮材料,其特征在于,所述表面改性聚醚醚酮材料的表面无钙元素存在。
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