[发明专利]一种低电阻率ITO靶材的制备方法

权利要求书

1.一种低电阻率ITO靶材的制备方法，其特征在于：通过浇注成型得到高强度生坯，烧结时控制氧浓度比例，制备出低电阻率的ITO靶材；其中包括以下步骤：

（1）以化学共沉淀法制备的单相ITO粉作为原料；

（2）将纯水、分散剂以及助烧剂与步骤（1）中的原料进行充分混合球磨，得到浆料；

（3）将步骤（2）得到浆料加入一定量的粘结剂，充分搅拌后，进行浇注、脱模以及干燥，得到相对密度大于60%的高强度生坯；

（4）把步骤（3）得到的高强度生坯在400～600℃保温4～6小时进行生坯的脱脂处理，然后在体积浓度为100%氧气氛下以5～7℃/min的速率升温至1550～1650℃，保温4～6小时，再将氧体积浓度降低至10～40%保温4～6小时，随炉冷却至室温出炉，得到低电阻率的ITO靶材。

2.根据权利要求1所述的一种低电阻率ITO靶材的制备方法，其特征在于：所述单相ITO粉的粒径为70～120nm，其中氧化铟和氧化锡的质量比为（8.4～9.0）∶1，形貌近球形。

3.根据权利要求1所述的一种低电阻率ITO靶材的制备方法，其特征在于：所述分散剂为聚丙烯酸盐，添加量为原料重量的1.3～2.0%；所述助烧剂为的二氧化硅，添加量为原料重量的2.0～4.0‰；所述纯水的添加量按浆料固含量为85%～90%进行配比。

4.根据权利要求3所述的一种低电阻率ITO靶材的制备方法，其特征在于：所述聚丙烯酸盐为聚丙烯酸铵。

5.根据权利要求1所述的一种低电阻率ITO靶材的制备方法，其特征在于：所述粘结剂为丙烯酸乳液，添加量为浆料重量的8～12‰。

6.根据权利要求1所述的一种低电阻率ITO靶材的制备方法，其特征在于：所述浇注、脱模以及干燥的工艺步骤为：浆料与粘结剂充分搅拌后，浇注入涂覆有淀粉的多孔模具中，在0.2MPa的压力下进行浇注成型，保压2小时后脱模，室温下干燥10天。

7.根据权利要求6所述的一种低电阻率ITO靶材的制备方法，其特征在于：所述多孔模具为石膏模具；所述干燥采用真空烘箱。

8.根据权利要求1所述的一种低电阻率ITO靶材的制备方法，其特征在于：所述冷却的速度为1～3℃/min。