[发明专利]一种不连续外延层的制备方法在审
| 申请号： | 201510438682.9 | 申请日： | 2015-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN105047537A | 公开（公告）日： | 2015-11-11 |
| 发明（设计）人： | 王冬雷;陈铭胜;祝庆 | 申请（专利权）人： | 芜湖德豪润达光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 广东秉德律师事务所 44291 | 代理人： | 杨焕军 |
| 地址： | 241000 安徽省芜*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 连续 外延 制备 方法 | ||
1.一种不连续外延层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一、提供衬底；
步骤二、在衬底上沉积光刻胶层，所述光刻胶层的厚度大于后续形成的外延层的厚度；
步骤三、对光刻胶层进行曝光显影，在光刻胶层上形成所需尺寸的图形；
步骤四、通过刻蚀将光刻胶层上的图形转移到衬底上，在衬底上形成从衬底表面下凹的凹槽；
步骤五、去除残余的光刻胶；
步骤六、在衬底上生长外延层，以在衬底上形成被凹槽分隔开的不连续外延层。
2.如权利要求1所述的不连续外延层的制备方法，其特征在于：所述外延层为氮化镓。
3.如权利要求1所述的不连续外延层的制备方法，其特征在于：所述衬底上的凹槽的深度大于外延层的厚度。
4.如权利要求1所述的不连续外延层的制备方法，其特征在于：所述衬底上的凹槽的深度为5微米～15微米。
5.一种不连续外延层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一、提供衬底；
步骤二、在衬底上沉积壁垒层，所述壁垒层的厚度大于后续生长的外延层的厚度；
步骤三、在壁垒层上沉积光刻胶层；所述光刻胶层的厚度大于后续形成的外延层的厚度；
步骤四、对光刻胶层进行曝光显影，在光刻胶层上形成所需尺寸的图形；
步骤五、通过刻蚀将光刻胶层上的图形转移到壁垒层上，在衬底上形成突出于衬底表面的壁垒凸起；
步骤六、去除残余的光刻胶；
步骤七、在衬底上生长外延层，以在衬底上形成被壁垒凸起分隔开的不连续外延层。
6.如权利要求5所述的不连续外延层的制备方法，其特征在于：所述壁垒层为SiO2层。
7.如权利要求5所述的不连续外延层的制备方法，其特征在于：所述壁垒层的厚度和所述光刻胶层的厚度相等。
8.如权利要求7所述的不连续外延层的制备方法，其特征在于：所述壁垒层的厚度为5微米～15微米，宽度为5微米～30微米。
9.如权利要求5所述的不连续外延层的制备方法，其特征在于：所述外延层为氮化镓。
10.如权利要求3或4或7或8所述的不连续外延层的制备方法，其特征在于：所述凹槽或壁垒的位置与后期制作芯片的切割刀相吻合。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
