[发明专利]数据修正装置及方法、描画装置及方法、检查装置及方法和存储有程序的记录介质有效
申请号: | 201510438510.1 | 申请日: | 2015-07-23 |
公开(公告)号: | CN105278236B | 公开(公告)日: | 2019-11-08 |
发明(设计)人: | 山田亮 | 申请(专利权)人: | 斯克林集团公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36;G03F1/44;G03F1/80 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 金相允;向勇 |
地址: | 日本国京*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 蚀刻特性 分割区域 分割数据 基板 设计数据 存储 蚀刻 数据修正装置 基准位置 检查装置 描画装置 存储部 修正 数据修正部 图案 分割 | ||
1.一种数据修正装置,用于修正通过蚀刻而形成在对象物上的图案的设计数据,其特征在于,具有:
设计数据存储部,存储通过蚀刻而形成在对象物上的图案的设计数据;
蚀刻特性存储部,存储与所述对象物上的多个基准位置分别对应的多个蚀刻特性,其中,所述图案中包括的图形构件之间的间隙宽度和所述对象物上的所述图形构件被过剩地蚀刻的蚀刻量之间的关系作为所述蚀刻特性;
区域蚀刻特性获取部,针对在所述对象物上设定的多个分割区域中的每一个,在基于各分割区域与所述多个基准位置的分别的位置关系对所述多个蚀刻特性进行加权处理后,基于进行了加权处理的所述多个蚀刻特性,求出所述各分割区域的蚀刻特性即区域蚀刻特性;以及
分割数据修正部,将所述设计数据分割成与所述多个分割区域对应的多个分割数据,基于与各分割数据对应的所述各分割区域的所述区域蚀刻特性来修正所述各分割数据。
2.如权利要求1所述的数据修正装置,其特征在于,
所述设计数据的所述多个分割数据分别表示的分割图案是相同的。
3.如权利要求2所述的数据修正装置,其特征在于,
在所述多个分割数据包括对应的所述区域蚀刻特性相同的两个以上的分割数据的情况下,通过所述分割数据修正部,对所述两个以上的分割数据中包括的一个分割数据进行修正,所述一个分割数据的修正结果也作为所述分割数据修正部对所述两个以上的分割数据中包括的其他的分割数据的修正结果来使用。
4.如权利要求3所述的数据修正装置,其特征在于,
所述区域蚀刻特性获取部所执行的对所述多个蚀刻特性的加权处理,是将基于与各蚀刻特性对应的基准位置和分割区域之间的距离的权重系数与各蚀刻特性相乘的处理;
所述多个蚀刻特性中与最接近所述各分割区域的一个基准位置对应的蚀刻特性相乘的权重系数是1,与除了所述蚀刻特性以外的蚀刻特性相乘的权重系数是0。
5.如权利要求2所述的数据修正装置,其特征在于,
所述区域蚀刻特性获取部所执行的对所述多个蚀刻特性的加权处理,是将基于与各蚀刻特性对应的基准位置和分割区域之间的距离的权重系数与各蚀刻特性相乘的处理;
所述多个蚀刻特性中与最接近所述各分割区域的一个基准位置对应的蚀刻特性相乘的权重系数是1,与除了所述蚀刻特性以外的蚀刻特性相乘的权重系数是0。
6.如权利要求1所述的数据修正装置,其特征在于,
所述区域蚀刻特性获取部所执行的对所述多个蚀刻特性的加权处理,是将基于与各蚀刻特性对应的基准位置和分割区域之间的距离的权重系数与各蚀刻特性相乘的处理;
所述多个蚀刻特性中与最接近所述各分割区域的一个基准位置对应的蚀刻特性相乘的权重系数是1,与除了所述蚀刻特性以外的蚀刻特性相乘的权重系数是0。
7.一种描画装置,用于在对象物上描画图案,其特征在于,具有:
权利要求1至6中任一项所述的数据修正装置;
光源;
光调制部,基于由所述数据修正装置修正后的设计数据对来自所述光源的光进行调制;以及
扫描机构,在对象物上扫描由所述光调制部调制后的光。
8.一种检查装置,用于检查通过蚀刻而形成在对象物上的图案,其特征在于,具有:
权利要求1至6中任一项所述的数据修正装置;
实际图像存储部,存储检查图像数据,该检查图像数据是通过蚀刻而形成在对象物上的图案的图像数据;以及
缺陷检测部,通过比较由所述数据修正装置修正后的设计数据与所述检查图像数据,来检测在所述对象物上形成的所述图案的缺陷。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于斯克林集团公司,未经斯克林集团公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510438510.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:双针阀喷油器总成
- 下一篇:一种预防和改善视疲劳的保健中药组合物及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备