[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示面板有效
申请号: | 201510438266.9 | 申请日: | 2015-07-23 |
公开(公告)号: | CN105161495B | 公开(公告)日: | 2018-09-11 |
发明(设计)人: | 王雪飞;秦纬;王灿 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1345 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制作方法 显示 面板 | ||
本发明提供了一种阵列基板及其制作方法、显示面板,涉及显示技术领域,解决了现有技术中连接电极的面积大导致显示单元的开口率小的问题。一种阵列基板,包括衬底基板;形成在衬底基板上的第一信号传输层;覆盖第一信号传输层的第一绝缘层;位于第一绝缘层上的第一电极层;覆盖第一电极层的第二绝缘层;位于第二绝缘层上的第二电极层;第一信号传输层包括公共电极线;第一电极层包括公共电极;第二电极层包括连接电极;在对应公共电极线的同一位置处,具有贯穿第一绝缘层和第二绝缘层的第一过孔,在第一过孔处,至少公共电极线的上表面以及公共电极的侧面露出,连接电极在第一过孔分别与公共电极的侧面和公共电极线的上表面直接接触。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示面板。
背景技术
液晶显示面板一般包括阵列基板、彩膜基板以及位于阵列基板和彩膜基板之间的液晶,其是通过两个电极(公共电极和像素电极)形成电场,驱动液晶发生偏转从而控制光的透过率来实现显示。
液晶显示面板根据公共电极和像素电极的设置方式分为水平电场型和垂直电场型。其中一种水平电场型显示面板的为SADS(Advanced-Super Dimensional Switching,高级超维场开关)型显示面板,其阵列基板上的显示单元结构如图1、图2所示,图2为图1所示像素结构的截面图。参照图2,阵列基板包括衬底基板10以及形成在衬底基板10上的栅线11、公共电极线12、栅绝缘层13、有源层14、源极15、漏极16、钝化层17、有机绝缘层18、公共电极19、绝缘层20、像素电极21以及连接电极22。其中,过孔1贯穿绝缘层20以及钝化层17,使得像素电极21通过过孔1与漏极16连接;连接电极22通过绝缘层20的过孔2与公共电极19连接;过孔3贯穿绝缘层20、有机绝缘层18、钝化层17以及栅绝缘层13,使得连接电极22通过过孔3与公共电极线12连接,从而公共电极线12通过连接电极22向公共电极19输入电信号。
如图1所示,由于连接电极22通过过孔2和过孔3分别与公共电极19和公共电极线13连接,过孔2和过孔3均需贯穿绝缘层20,从而绝缘层20上的过孔多,不利于阵列基板的制作。且过孔2和过孔3形成在显示单元内,从而连接电极的面积较大,显示单元内像素电极21和公共电极19相对的面积较小,降低了显示单元的开口率。
发明内容
本发明的实施例提供一种阵列基板及其制作方法、显示面板,所述阵列基板上显示单元内的连接电极通过一个过孔连接公共电极和公共电极线,不仅简化基板结构且增大了显示单元的开口率。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
一方面,本发明实施例提供了一种阵列基板,包括衬底基板;形成在所述衬底基板上的第一信号传输层;覆盖所述第一信号传输层的第一绝缘层;位于所述第一绝缘层上的第一电极层;覆盖所述第一电极层的第二绝缘层;位于所述第二绝缘层上的第二电极层;所述第一信号传输层包括公共电极线;所述第一电极层包括公共电极;所述第二电极层包括连接电极;
在对应所述公共电极线的同一位置处,具有贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的第一过孔,在所述第一过孔处,至少所述公共电极线的上表面以及所述公共电极的侧面露出,所述连接电极在所述第一过孔分别与所述公共电极的侧面和所述公共电极线的上表面直接接触。
可选的,在所述第一过孔处,所述公共电极的上表面露出,所述连接电极在所述第一过孔还与所述公共电极露出的上表面直接接触。
可选的,所述连接电极在所述衬底基板上的投影位于所述公共电极线在所述衬底基板上的投影区域内。
可选的,所述第一信号传输层还包括与所述公共电极线不接触的栅线以及栅极;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510438266.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的