[发明专利]一种高性能微型超级电容器及其制备方法

权利要求书

1.高性能微型超级电容器，包括有基底，其上沉积有集流体金属形成叉指电极，其特征在于所述的叉指电极负载有氧化钌修饰纳米片状硫化钴的电极材料，所述的负载有氧化钌修饰纳米片状硫化钴是通过电聚合沉积得到氢氧化钴纳米片，再将其置入硫化钠水溶液中硫化，最后再次通过电聚合沉积氧化钌即得。

2.如权利要求1所述的高性能微型超级电容器，其特征在于：所述的电聚合沉积的沉积时间范围为300至500s。

3.如权利要求1所述的高性能微型超级电容器，其特征在于：所述的硫化时间范围为0.5至4小时，硫化温度75℃。

4.如权利要求1所述的高性能微型超级电容器，其特征在于：所述的基底可为下述材料中的一种：PET、硅基片、玻璃基片和PEN。

5.如权利要求1所述的高性能微型超级电容器，其特征在于：所述的叉指电极的宽度范围为100至200纳米。

6.权利要求1所述的高性能微型超级电容器的制备方法，其特征在于：包括有以下步骤：

1)清洁基底；

2)在步骤1)的基础上，通过匀胶机在基底上涂布光刻胶，烘烤；

3)在步骤2)的基础上，通过光刻蚀技术在匀过胶的基底上制备出电极沟槽；

4)在步骤3)的基础上，通过物理气相沉积(PVD)制备出所有的叉指电极；

5)在步骤4)的基础上，将带有叉指电极的基底于去胶液中浸泡，去除光刻胶；

6)在步骤5)的基础上，利用电化学测试系统对步骤4)所得器件采用恒压电聚合沉积法沉积氢氧化钴；

7)在步骤6)的基础上，将器件置入硫化钠水溶液中硫化；

8)在步骤7)的基础上，利用电化学测试系统对器件采用循环伏安法电沉积氧化钌。