[发明专利]一种SiC陶瓷的制备方法

权利要求书

1.一种SiC陶瓷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）混料：所述的原料包括以下组分，且各组分的质量百分含量分别为：SiC：60-70wt%；莫来石：1-15wt%；堇青石：3-8 wt%；Al₂O₃：5-15wt%；SiO₂：0-10wt%；MgO：0-5wt%，首先将SiC加入到聚乙烯醇水溶液中混合均匀，所述的SiC和聚乙烯醇水溶液的质量比为（4-16）：1，然后再按照各组分的质量百分含量加入堇青石、莫来石并混合均匀，最后加入Al₂O₃、SiO₂和MgO，再次混合均匀，得到混合粉料；

（2）模压成型：将步骤（1）混合后的粉料进行单向模压，成型为坯体；

（3）烧成：将步骤（2）压制好的坯体干燥后，在1200-1400℃的空气气氛下进行烧结，得到SiC陶瓷。

2.根据权利要求1所述的一种SiC陶瓷的制备方法，其特征在于，所述的SiC的粒径包括粗粒径、中粒径和细粒径，所述的粗粒径为250~500μm，含量为30%-60%，中粒径为100~250μm，含量为10%-40%，细粒径为5~100μm，含量为30%-60%，且SiC的含量大于95%。

3.根据权利要求1所述的一种SiC陶瓷的制备方法，其特征在于，所述的莫来石的粒径为5-250μm。

4.根据权利要求1所述的一种SiC陶瓷的制备方法，其特征在于，所述的堇青石的粒径为5-250μm。

5.根据权利要求1所述的一种SiC陶瓷的制备方法，其特征在于，所述的Al₂O₃的粒径为5-70μm，且Al₂O₃的含量大于99.9%。

6.根据权利要求1或5所述的一种SiC陶瓷的制备方法，其特征在于，所述的Al₂O₃为α- Al₂O₃。

7.根据权利要求1所述的一种SiC陶瓷的制备方法，其特征在于，所述的SiO₂的粒径为5-100μm，且SiO₂的含量大于99.9%。

8.根据权利要求1所述的一种SiC陶瓷的制备方法，其特征在于，所述的MgO的粒径为5-70μm，且MgO的含量大于99.9%。

9.根据权利要求1所述的一种SiC陶瓷的制备方法，其特征在于，在步骤（1）的混料过程中，均采用球磨混料，且以SiC为球磨介质，球磨混料时的转速需在50-100转/分钟，球磨时间为10-12h，料球比为1:（1-3）。