[发明专利]一种氮化物单晶的生长装置及方法有效

专利信息
申请号: 201510436581.8 申请日: 2015-07-23
公开(公告)号: CN104962995B 公开(公告)日: 2017-07-28
发明(设计)人: 巫永鹏;李成明;陈蛟;罗睿宏;李顺峰;张国义 申请(专利权)人: 北京大学东莞光电研究院
主分类号: C30B29/38 分类号: C30B29/38;C30B7/14
代理公司: 广州粤高专利商标代理有限公司44102 代理人: 罗晓林
地址: 523000 广东省东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 氮化物 生长 装置 方法
【权利要求书】:

1.一种氮化物单晶的生长装置,包括反应釜,反应釜内填充有生长溶液,反应釜底部设有晶种模板,反应釜顶部设有氮气进气口,该氮气进气口内设有压力调节阀门,所述反应釜内设有使生长溶液形成涡流的涡流产生装置,其特征在于,

所述涡流产生装置为安装在反应釜内侧壁的气流系统,该气流系统包括导气管及与该导气管装接的使气体流动的驱动器,导气管的出气终端口与反应釜内部连通,导气管与水平方向成10~80度角向下倾斜设置,并且导气管的出气终端口位于同一圆周上;

或者,所述涡流产生装置为氮气管路系统,该氮气管路系统包括与反应釜的氮气进气口连接的氮气进气管,该氮气进气管设在反应釜内,并且该氮气进气管的出气终端口位于生长溶液的液面下方,反应釜顶部还设有氮气出气口,该氮气出气口内设有压力调节阀,氮气进气管的数量根据需要灵活设置,氮气进气管的出气终端口设置成与水平方向成10~80度角向下倾斜;

或者,所述涡流产生装置为溶液回流系统,该溶液回流系统包括设置在反应釜内的回流通道,回流通道内设有溶液流速控制器,该回流通道的底部端口位于反应釜内底部,该回流通道的上部端口位于晶种模板上方且位于生长溶液的液面下方,回流通道的上部端口与水平方向成15~60度向下倾斜设置。

2.根据权利要求1所述的氮化物单晶的生长装置,其特征在于,所述导气管的出气终端口位于反应釜内的生长溶液的液面上方。

3.根据权利要求1所述的氮化物单晶的生长装置,其特征在于,所述导气管的出气终端口位于反应釜内的生长溶液的液面下方且位于晶种模板上方。

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