[发明专利]一种高纯度WO3/C3N4复合介孔纳米带的制备方法在审
申请号: | 201510433644.4 | 申请日: | 2015-07-22 |
公开(公告)号: | CN105032466A | 公开(公告)日: | 2015-11-11 |
发明(设计)人: | 杨为佑;贺之洋;刘龙;侯慧林;郑金桔 | 申请(专利权)人: | 宁波工程学院 |
主分类号: | B01J27/24 | 分类号: | B01J27/24 |
代理公司: | 宁波市鄞州盛飞专利代理事务所(普通合伙) 33243 | 代理人: | 张向飞 |
地址: | 315211 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 纯度 wo sub 复合 纳米 制备 方法 | ||
1.一种高纯度WO3/C3N4复合介孔纳米带的制备方法,其特征在于,所述制备方法为:配制前驱体纺丝液,将配制好的前驱体纺丝液经纺丝得到前驱体纳米材料后干燥,经高温煅烧得到高纯度WO3/C3N4复合介孔纳米带。
2.根据权利要求1所述的一种高纯度WO3/C3N4复合介孔纳米带的制备方法,其特征在于,所述前驱体纺丝液的配制为:将原料g-C3N4放入无水乙醇溶液中形成乳浊液,乳浊液再与N,N-二甲基甲酰胺形成混合溶液,最后再将原料WCl6、PVP、TS溶解到混合溶液中形成前驱体纺丝液。
3.根据权利要求2所述的一种高纯度WO3/C3N4复合介孔纳米带的制备方法,其特征在于,所述前驱体纺丝液配置时1g原料g-C3N4放入150-250mL无水乙醇溶液中。
4.根据权利要求2所述的一种高纯度WO3/C3N4复合介孔纳米带的制备方法,其特征在于,所述前驱体纺丝液配置时乳浊液与N,N-二甲基甲酰胺的体积比为1:(2-6)。
5.根据权利要求2所述的一种高纯度WO3/C3N4复合介孔纳米带的制备方法,其特征在于,所述前驱体纺丝液配置时每1mL混合溶液中原料WCl6的使用量为0.2-0.8g。
6.根据权利要求2所述的一种高纯度WO3/C3N4复合介孔纳米带的制备方法,其特征在于,所述前驱体纺丝液配置时每1mL混合溶液中原料PVP的使用量为0.05-0.1g。
7.根据权利要求2所述的一种高纯度WO3/C3N4复合介孔纳米带的制备方法,其特征在于,所述前驱体纺丝液配置时每1mL混合溶液中原料TS的使用量为0.1-0.2g。
8.根据权利要求1所述的一种高纯度WO3/C3N4复合介孔纳米带的制备方法,其特征在于,所述前驱体纺丝液经静电纺丝得到前躯体一维纳米材料,其中静电纺丝的电压为5-10kV,阴极与阳极之间的距离为15-25cm。
9.根据权利要求1所述的一种高纯度WO3/C3N4复合介孔纳米带的制备方法,其特征在于,所述高温煅烧为在煅烧温度450-550℃下煅烧20-40min。
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