[发明专利]Al‑TiO2‑C晶粒细化剂及其制备方法及工业纯铝细化方法有效
申请号: | 201510432677.7 | 申请日: | 2015-07-22 |
公开(公告)号: | CN105002389B | 公开(公告)日: | 2017-05-24 |
发明(设计)人: | 张瑞英;赵鸽;韩小伟 | 申请(专利权)人: | 内蒙古工业大学 |
主分类号: | C22C1/06 | 分类号: | C22C1/06;C22C21/00 |
代理公司: | 北京权泰知识产权代理事务所(普通合伙)11460 | 代理人: | 王道川 |
地址: | 010051 内蒙古自治*** | 国省代码: | 内蒙古;15 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | al tio sub 晶粒 细化 及其 制备 方法 工业 | ||
1.Al-TiO2-C晶粒细化剂的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)将Al粉、TiO2粉和C粉混合,在星式球磨机上球磨0.5-2h;Al粉粒度为40-50μm、TiO2粉粒度为20-40nm、C粉粒度为30-95μm;C的物质的量与TiO2的物质的量之比为1:30-1:10;TiO2粉的加入量为Al粉、TiO2粉和C粉三者总质量的8wt%-12wt%;在步骤(1)中的球磨时加入球磨溶剂,所述球磨溶剂为胺类、醇类、酮类或上述三者中任意二者或任意三者的混合溶剂;球磨后烘干至球磨溶剂完全挥发;
(2)在万能试验机上压制出直径为Φ30的预制块,压块所用的压力为85-95KN;
(3)预制块用铝箔包裹,挤出里面的空气保存;
(4)然后将预制块在高温烧结炉中烧结,升温速率设定为5-15℃/min,升温到1000-1400℃,保温0.5-2h;
(5)随后随炉冷却,取出即为制备的Al-TiO2-C晶粒细化剂。
2.根据权利要求1所述的Al-TiO2-C晶粒细化剂的制备方法,其特征在于,所述球磨溶剂为1,4-丁二胺,或乙醇,或丙酮,或1,4-丁二胺与乙醇体积比为2:1的混合溶剂,或乙醇与丙酮体积比为1:3的混合溶剂,或1,4-丁二胺、乙醇和丙酮体积比为2:1:3的混合溶剂;所述球磨溶剂加入量为每克Al粉、TiO2粉和C粉的混合物加入1mL。
3.工业纯铝细化方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)采用石墨坩埚在坩埚电阻炉中熔化工业纯铝;
(2)待温度升到700-850℃,保温10-50min;
(3)将权利要求1-2任一制备的Al-TiO2-C晶粒细化剂预热到200-300℃;
(4)将预热后的Al-TiO2-C晶粒细化剂的加入到石墨坩埚中并搅拌,使晶粒细化剂在纯铝中均匀分布;Al-TiO2-C晶粒细化剂的加入量大于或等于工业纯铝质量的0.05wt%;在步骤(4)中:Al-TiO2-C晶粒细化剂的加入量为工业纯铝质量的0.2-0.5wt%;
(5)保温10-50min后浇注到200-300℃预热后的KBI标准模具中,浇注温度为700℃。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于内蒙古工业大学,未经内蒙古工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510432677.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 纳米TiO<sub>2</sub>复合水处理材料及其制备方法
- 具有TiO<sub>2</sub>致密层的光阳极的制备方法
- 一种TiO<sub>2</sub>纳米颗粒/TiO<sub>2</sub>纳米管阵列及其应用
- 基于TiO2的擦洗颗粒,以及制备和使用这样的基于TiO2的擦洗颗粒的方法
- 一种碳包覆的TiO<sub>2</sub>材料及其制备方法
- 一种应用于晶体硅太阳电池的Si/TiO<sub>x</sub>结构
- 应用TiO<sub>2</sub>光触媒载体净水装置及TiO<sub>2</sub>光触媒载体的制备方法
- 一种片状硅石/纳米TiO2复合材料及其制备方法
- TiO<base:Sub>2
- TiO
- 一种Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>复相热障涂层材料
- 无铅[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>纳米管及其制备方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一种Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 复合膜及其制备方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 荧光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一种(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制备方法
- 荧光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>复合材料的制备方法