[发明专利]具有背侧散热的绝缘体上半导体

权利要求书

1.一种制造集成电路的方法，包括步骤：

在绝缘体上半导体晶圆的有源层中形成多个有源器件，所述有源器件包括n沟道晶体管和p沟道晶体管，每个所述有源器件具有沟道；

其中所述多个有源器件主要为n沟道晶体管或主要为p沟道晶体管；

从布置在所述绝缘体上半导体晶圆背侧的基板层去除基板材料；以及

形成应变引入材料的单层，使其接近至少一个n沟道晶体管和至少一个p沟道晶体管的沟道或在至少一个n沟道晶体管和至少一个p沟道晶体管的一部分中。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括步骤：选取所述应变引入材料的材质和布置方式中的一者，以提高n沟道晶体管或p沟道晶体管中的载流子的迁移率。

3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括步骤：在形成所述应变引入材料之前，从所述绝缘体上半导体晶圆的所述背侧去除绝缘材料。

4.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述应变引入材料的步骤在所述绝缘体上半导体晶圆的背侧形成不同的构造。

5.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述应变引入材料的步骤选择性地形成机械拉伸应变引入材料和压缩应变引入材料中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述应变引入材料的材质选自氮化硅、氮化铝和类金刚石碳。

7.根据权利要求6所述的方法，进一步包括步骤：改变沉积材料的条件以在所述应变引入材料中产生压缩应变或拉伸应变。

8.根据权利要求1所述的方法，进一步包括步骤：以不同的图案布置所述应变引入材料，以在平行于或垂直于电荷载流子流的方向上产生双轴或单轴应变。

9.根据权利要求1所述的方法，还包括步骤：以选自以下的图案布置所述应变引入材料：围绕所述有源器件的栅极的图案、具有大的宽/长比的围绕所述有源器件的栅极的图案、横向的条状图案、以及沿着栅极的边形成的条状图案。

10.根据权利要求1所述的方法，进一步包括步骤：在所述有源层中为一部分所述有源器件布置所述应变引入材料。

11.根据权利要求1所述的方法，进一步包括步骤：所述应变引入材料使用热传导率高于50W/m*K的材料。

12.根据权利要求1所述方法制造的集成电路产品。

13.一种制造半导体器件的方法，包括步骤：

在绝缘体上半导体晶圆的有源层中形成多个有源器件，所述有源器件包括n沟道晶体管和p沟道晶体管，每个所述有源器件具有沟道和栅极；

其中所述多个有源器件主要为n沟槽晶体管或主要为p沟槽晶体管；以及

在形成所述有源器件后形成应变引入材料的单层，所述应变引入材料接近至少一个n沟道晶体管和至少一个p沟道晶体管的沟道或在至少一个n沟道晶体管和至少一个p沟道晶体管的沟道中，并且位于所述沟道的与所述栅极相反的一侧。

14.根据权利要求13所述的方法，进一步包括步骤：从所述绝缘体上半导体晶圆的背侧去除绝缘材料。

15.根据权利要求14所述的方法，其中去除所述绝缘材料的步骤在形成所述应变引入材料之前从所述绝缘体上半导体晶圆的所述背侧去除所述绝缘材料。

16.根据权利要求13所述的方法，其中形成所述应变引入材料的步骤在所述绝缘体上半导体晶圆的背侧形成不同的构造。

17.根据权利要求13所述的方法，其中形成所述应变引入材料的步骤选择性地形成机械拉伸应变引入材料和压缩应变引入材料的至少之一。

18.根据权利要求13所述的方法，其中形成所述应变引入材料的材质选自氮化硅、氮化铝和类金刚石碳。

19.一种根据权利要求13所述的方法制造的半导体器件。