[发明专利]一种用于直流特高压绝缘组合物、制备方法及其用途有效
申请号: | 201510430864.1 | 申请日: | 2015-07-21 |
公开(公告)号: | CN105062074B | 公开(公告)日: | 2018-09-04 |
发明(设计)人: | 薛杨;李欣欣;张冬海;徐志磊;沈辉;韩世健;陈殿龙;钱西慧;王好盛;陈运法 | 申请(专利权)人: | 中国科学院过程工程研究所;江东金具设备有限公司 |
主分类号: | C08L83/04 | 分类号: | C08L83/04;C08L83/06;C08K9/06;C08K3/04;C08K3/22;H01B3/10;H01B3/46 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 巩克栋;侯潇潇 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 直流 高压 绝缘 组合 制备 方法 及其 用途 | ||
1.一种用于直流特高压绝缘组合物,其包括如下组分:
(A)石墨烯纳米片;
(B)层状复合金属氢氧化物;
所述石墨烯纳米片的体积是层状复合金属氢氧化物体积的0.025~0.1vol%。
2.如权利要求1所述的直流特高压绝缘组合物,其特征在于,所述石墨烯纳米片的体积百分比为0.04~0.085vol%。
3.如权利要求2所述的直流特高压绝缘组合物,其特征在于,所述石墨烯纳米片的体积百分比为0.045~0.07vol%。
4.如权利要求1所述的直流特高压绝缘组合物,其特征在于,所述石墨烯纳米片的厚度为1~20nm,长度为100nm~20μm,比表面积为30~1500m2/g。
5.如权利要求4所述的直流特高压绝缘组合物,其特征在于,所述石墨烯纳米片的厚度为5~10nm,长度为300nm~5μm。
6.如权利要求1所述的直流特高压绝缘组合物,其特征在于,所述层状复合金属氢氧化物具有如下通式:
[M1a2+M2b2+M3c3+M4d3+(OH)y]x+(zAn-)·vH2O
其中M1和M2为二价金属阳离子,M1包括Ca2+、Mg2+、Zn2+、Cu2+、Co2+或Ni2+中的任意一种,M2包括Ca2+、Mg2+、Zn2+、Cu2+、Co2+或Ni2+中的任意一种,M3和M4为三价金属阳离子,M3包括Al3+、Cr3+、Fe3+或Ce3+中的任意一种,M4包括Al3+、Cr3+、Fe3+或Ce3+中的任意一种;
a+b等于1-x;c+d等于x,其中,x为(M33++M43+)/(M12++M22++M33++M43+)的摩尔比值,为0.1~0.9;y为1~6;
An-代表层间可交换的阴离子,包括硝酸根、硫酸根、乳酸根、氨基酸、氯离子、碳酸根,z为阴离子摩尔数量,n为阴离子价数,其中zn等于[2(a+b)+3(c+d)-y];v为层间结晶水数量,为0.1~5。
7.如权利要求6所述的直流特高压绝缘组合物,其特征在于,M1为Ca2+、Mg2+或Zn2+中的任意一种,M2为Co2+、Ni2+或Cu2+中的任意一种,M3为Al3+或Fe3+,M4为Cr3+或Ce3+;x为0.2~0.8,y为2~4;v为0.5~3。
8.如权利要求7所述的直流特高压绝缘组合物,其特征在于,x为0.5~0.7。
9.如权利要求1所述的直流特高压绝缘组合物,其特征在于,所述绝缘组合物还包括(C)偶联剂。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院过程工程研究所;江东金具设备有限公司,未经中国科学院过程工程研究所;江东金具设备有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510430864.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。