[发明专利]线偏振非平面光在液晶材料金属多层核-壳体表面产生可调谐非梯度光学力的方法在审

专利信息
申请号: 201510430564.3 申请日: 2015-07-21
公开(公告)号: CN105116536A 公开(公告)日: 2015-12-02
发明(设计)人: 曹暾 申请(专利权)人: 大连理工大学
主分类号: G02B21/32 分类号: G02B21/32;G21K1/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 116024 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 偏振 平面 液晶 材料 金属 多层 壳体 表面 产生 调谐 梯度 学力 方法
【权利要求书】:

1.一种线偏振非平面光在液晶材料金属多层核-壳体表面产生可调谐非梯度光学力的方法,其特征在于,在线偏振非平面光波照射下,通过使液晶材料/金属多层核-壳体偏离入射光轴(z轴)中心,破坏液晶材料/金属多层核-壳体周围的玻印亭矢量对称分布,使多层核-壳体上的总玻印亭矢量不为零,产生非梯度光学力;且该总玻印亭矢量随液晶材料的液晶分子轴方向的变化发生改变,进而改变总玻印亭矢量作用在多层核-壳体上的非梯度光学力的方向和大小,来调控多层核-壳体在入射光场中的运动轨迹,从而对附着在多层核-壳体表面的纳米尺寸分子进行可调谐捕获和筛选,其中多层核-壳体处于入射光束内,且偏离光束沿入射方向的中心对称轴(z轴)的距离为l,0<l≤w(z),w(z)为入射光束宽,随z的变化发生改变,-∞<z<+∞;多层核-壳体由金属层、液晶材料层交替生长而成,层数为n层,n>1;每层厚度在1纳米至1微米;多层核-壳体的外形是曲面几何体或者多面体,体积在1立方纳米至1000立方微米;多层核-壳体中核与壳的中心重叠或分离。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,入射光为线偏振非平面波,类型包括高斯波、贝塞尔波、艾里波;入射光垂直照射液晶材料/金属多层核-壳体;频率范围为0.3μm~20μm;功率范围为0.1mW/μm2~10mW/μm2

3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,入射光的光源采用波长可调谐激光器、半导体连续或准连续激光或者发光二极管。

4.根据权利要求3的方法,其特征在于,所述的表面附有纳米尺寸分子的液晶材料/金属多层核-壳体,金属层是Al、Ag、Au、Cu、Ni、Pt。

5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,表面附有纳米尺寸分子的液晶材料/金属多层核-壳体,液晶材料是向列相液晶,近晶相液晶,胆甾相液晶,碟型液晶,热致液晶,重现性液晶,手性液晶,负性液晶,端烯类液晶,嘧啶类液晶,含氟类液晶,炔类液晶,乙烷类液晶,苯基环己烷类液晶。

6.根据权利要求1或2或4或5的方法,其特征在于,所述的表面附有纳米尺寸分子的液晶材料/金属多层核-壳体,纳米尺寸分子具有非手性结构或手性结构。

7.根据权利要求1或2或4或5的方法,其特征在于,所述的表面附有纳米尺寸分子的液晶材料/金属多层核-壳体,多层结构通过材料生长工艺实现,包括磁控溅射、电子束蒸发、金属有机化合物化学气相沉淀、气相外延生长、分子束外延。

8.根据权利要求1或2或4或5的方法,其特征在于,所述的表面附有纳米尺寸分子的液晶材料/金属多层核-壳体,通过光照、通电、加热和加压等方式改变其中液晶材料的液晶分子轴方向,进而改变液晶材料的双折射率和介电系数。

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