[发明专利]闪存装置及其编程操作的初始化方法

说明书

闪存装置及其编程操作的初始化方法。编程操作的初始化方法包括：提供递增的多个脉冲编程电压以对闪存的多个存储单元进行多个非遮蔽方案编程操作并依据编程验证电压对存储单元执行对应的编程验证操作；依据编程验证操作的验证结果以获得记录编程电压值；提供递增的多个脉冲读取电压以对存储单元进行多个读取操作；依据读取操作的读取结果来获得记录读取电压值；以及，依据记录编程电压值、记录读取电压值以及编程验证电压的电压值来获得起始编程电压值及编程脉冲电压递增值。

技术领域

本发明涉及一种闪存装置及其编程操作(programming operation)的初始化方法，特别是涉及一种闪存的递增步阶脉冲编程(Incremental Step Pulse Programming,ISPP)操作的初始化方法。

背景技术

随着电子产品的普及化，为因应使用者大量的信息需求，提供高品质的数据储存媒介成为电子产品重要的规格之一。在现今的技术领域中，可提供数据写入以及读取能力的闪存成为电子产品必备的数据储存媒介。

在针对闪存进行编程的过程中，可以通过递增步阶脉冲编程操作来进行。递增步阶脉冲编程操作通过多个递增电压的脉冲来对存储单元进行编程操作，并通过控制脉冲的电压值、提供脉冲的次数以及提供脉冲的时间宽度来控制编程后存储单元的临界电压的分布状态。为了有效的控制编程后存储单元的临界电压的分布范围，且有效控制编程操作所需的时间，设定一个启始编程电压为本领域的技术人员的一个重要的课题。

发明内容

本发明提供一种闪存装置及其编程操作的初始化方法，可有效计算出起始编程电压值及编程脉冲电压递增值。

本发明的闪存编程操作的初始化方法，包括：使用编程非遮蔽方案，提供多个脉冲编程电压以对闪存的多个存储单元进行多个编程操作，其中脉冲编程电压的电压值依次递增；在各编程操作后依据编程验证电压对存储单元执行对应的编程验证操作，并依据编程验证操作的验证结果以记录各编程操作所对应的脉冲编程电压的电压值为记录编程电压值；在编程操作后，提供多个脉冲读取电压以对存储单元进行多个读取操作，其中脉冲读取电压的电压值依次递增；依据各读取操作的读取结果来记录对应的各脉冲读取电压的电压值为记录读取电压值；以及，依据记录编程电压值、记录读取电压值以及编程验证电压的电压值来获得起始编程电压值及编程脉冲电压递增值。

在本发明的一实施例中，上述的依据编程验证操作的验证结果以记录各编程操作所对应的脉冲编程电压的电压值为记录编程电压值的步骤包括：使用编程非遮蔽方案，当编程验证操作验证出临界值小于编程验证电压的存储单元的数量小于预设参考值时，记录编程验证操作对应的编程操作所对应的脉冲编程电压的电压值为记录编程电压值。

在本发明的一实施例中，上述的依据各读取操作的读取结果来记录对应的各脉冲读取电压的电压值为记录读取电压值的步骤包括：使用递增步阶脉冲读取操作，当读取操作中，临界值大于对应的各脉冲读取电压的电压值的存储单元的数量小于预设参考值时，记录对应的脉冲读取电压的电压值为记录读取电压值。

在本发明的一实施例中，上述的依据记录编程电压值、记录读取电压值以及编程验证电压的电压值来获得起始编程电压值的步骤包括：设定起始编程电压值＝Vn–RDm+PVn+Voffset，其中，Vn为记录编程电压值，RDm为记录读取电压值，PVn为一般性编程验证操作的电压值，Voffest为预设的偏移电压值。

在本发明的一实施例中，上述的初始化方法，其中该偏移电压值大于、小于或等于0伏特。偏移电压值取决于存储单元编程电压临界值预期分布及存储单元抹除编程后预期衰减量。

在本发明的一实施例中，编程操作的初始化方法中还包括：依据记录读取电压值、编程验证电压的电压值以及预设的编程次数以计算出编程脉冲电压递增值。

在本发明的一实施例中，编程操作的初始化方法中还包括：储存记录编程电压值、记录读取电压值、编程验证电压的电压值以及一般性编程验证操作的电压值至闪存的控制器中。