[发明专利]一种具有柔性薄膜微波应变PIN二极管阵列的检测器

权利要求书

1.一种具有柔性薄膜微波应变PIN二极管阵列的检测器，包括有二极管阵列（1），所述二极管阵列（1）的信号输入端连接行驱动信号（5），所述二极管阵列（1）的信号输出端依次通过模拟信号处理单元（2）和AD转换单元（3）连接列驱动信号（4），所述的AD转换单元（3）输出数字图像信号，其特征在于，所述的二极管阵列（1）是由多数个结构完全相同的应变二极管单元（11）构成的应变二极管阵列，每一个应变二极管单元（11）均是包括有柔性的第一应变二极管（111）和柔性的第二应变二极管（112），所述第一应变二极管（111）和第二应变二极管（112）的一端分别对应连接用于控制应变二极管单元（11）的开启和关闭的第一晶体管（113）和第二晶体管（114）的源极，另一端接电源，所述第一晶体管（113）和第二晶体管（114）的栅极连接行驱动信号（5），所述第一晶体管（113）和第二晶体管（114）的漏极依次通过模拟信号处理单元（2）和AD转换单元（3）连接列驱动信号（4），所述第一应变二极管（111）和第二应变二极管（112）构成L型结构的应变二极管组。

2.根据权利要求1所述的一种具有柔性薄膜微波应变PIN二极管阵列的检测器，其特征在于，所述的第一应变二极管（111）和第二应变二极管（112）构成的L型结构的应变二极管组包括有：柔性塑料基板（801），连接在所述柔性塑料基板（801）上的材料层（802），以及分别设置在所述材料层（802）上的P型掺杂的第一单晶硅薄膜（803）、P型掺杂的第二单晶硅薄膜（808）、N型掺杂的第三单晶硅薄膜（805）、N型掺杂的第四单晶硅薄膜（810），未掺杂的第五单晶硅薄膜（804）以及未掺杂的第六单晶硅薄膜（809），所述的第三单晶硅薄膜（805）、第五单晶硅薄膜（804）和第一单晶硅薄膜（803）依次连接设置构成第一应变二极管（111）或第二应变二极管（112），所述的第四单晶硅薄膜（810）、第六单晶硅薄膜（809）和第二单晶硅薄膜（808）依次连接设置构成第二应变二极管（112）或第一应变二极管（111），其中，第一单晶硅薄膜（803）和第二单晶硅薄膜（808）分别通过互联金属（806）连接电源端（807），所述的第三单晶硅薄膜（805）通过互联金属（806）连接第一晶体管（113）或第二晶体管（114）的信号接收端（812），所述第四单晶硅薄膜（810）通过互联金属（806）连接第二晶体管（114）或第一晶体管（113）的信号接收端（811）。

3.根据权利要求2所述的一种具有柔性薄膜微波应变PIN二极管阵列的检测器，其特征在于，所述的第一晶体管（113）和第二晶体管（114）为薄膜晶体管。

4.根据权利要求2所述的一种具有柔性薄膜微波应变PIN二极管阵列的检测器，其特征在于，所述的柔性塑料基板（801）采用PET塑料或PVC塑料。

5.根据权利要求2所述的一种具有柔性薄膜微波应变PIN二极管阵列的检测器，其特征在于，所述的材料层（802）采用SU-8材料或AZ5214光刻胶材料或S1813光刻胶材料。

6.根据权利要求2所述的一种具有柔性薄膜微波应变PIN二极管阵列的检测器，其特征在于，所述第一应变二极管（111）或第二应变二极管（112）的应变检测面呈正方形或者长方形。