[发明专利]一种功函数可调节的V2O5掺杂空穴传输薄膜及其制备方法、用途

权利要求书

1.一种功函数可调节的V₂O₅掺杂空穴传输薄膜的制备方法，其特征在于，所述的制备方法采用金属氧化物V₂O₅纳米颗粒，通过溶于溶剂进行溶解，然后与水溶性的PEDOT:PSS不同比例互溶，通过旋涂、浸泡或者提拉法取得薄膜，最后通过退火的方式处理得到目标产物薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种功函数可调节的V₂O₅掺杂空穴传输薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下具体步骤：

（1）将水溶性的V₂O₅纳米颗粒根据需要，采用不同的计量溶于水中，通过溶于热水或者在温度为40-80℃下加热搅拌的方法加速其溶解，待完全溶解之后与PEDOT:PSS按不同体积比互溶，搅拌混合均匀，保存备用；

（2）将待涂布的透明电极基片ITO或者FTO放置于紫外-臭氧机中臭氧处理10-20min，然后将步骤（1）的配制好的V₂O₅纳米颗粒杂化溶液通过旋转涂布的方法涂布在基片表面，形成一层均匀的空穴传输层薄膜；

（3）将载有V₂O₅纳米颗粒杂化空穴传输层薄膜的基片进行放置于加热板或者烘箱中退火，退火温度为130-150℃，退火时间为10-30min，传输层薄膜将固化成膜。

3.根据权利要求2所述的一种功函数可调节的V₂O₅掺杂空穴传输薄膜的制备方法，其特征在于，所述的步骤（1）中在温度为60℃下加热搅拌，所述的V₂O₅与PEDOT:PSS的体积比为1:3-1:5。

4.根据权利要求2所述的一种功函数可调节的V₂O₅掺杂空穴传输薄膜的制备方法，其特征在于，所述的步骤（2）中臭氧处理15min。

5.根据权利要求2所述的一种功函数可调节的V₂O₅掺杂空穴传输薄膜的制备方法，其特征在于，所述的步骤（2）中涂布转速为1000-4000rpm。

6.根据权利要求2所述的一种功函数可调节的V₂O₅掺杂空穴传输薄膜的制备方法，其特征在于，所述的步骤（2）中空穴传输层薄膜厚度为5-100nm。

7.根据权利要求2所述的一种功函数可调节的V₂O₅掺杂空穴传输薄膜的制备方法，其特征在于，所述的步骤（3）退火程序在加热板或烘箱中进行，退火温度为140℃，退火时间为20min。

8.根据权利要求1至7任一所述的一种功函数可调节的V₂O₅掺杂空穴传输薄膜的制备方法制备得到的V₂O₅掺杂空穴传输薄膜。

9.根据权利要求8所述的V₂O₅掺杂空穴传输薄膜在太阳能电池中的用途。