[发明专利]一种有机电致发光器件及其制作方法、显示装置有效
| 申请号: | 201510425486.8 | 申请日: | 2015-07-17 |
| 公开(公告)号: | CN105070845B | 公开(公告)日: | 2017-12-26 |
| 发明(设计)人: | 廖金龙 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 有机 电致发光 器件 及其 制作方法 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种有机电致发光器件及其制作方法、显示装置。
背景技术
有机电致发光器件(Organic Light-Emitting Device,简称OLED)是一种利用电激发荧光体或磷光体有机化合物来发光的器件。有机电致发光器件因其具有自发光、全固态、宽视角、响应快等诸多优点,在显示领域中有着巨大的应用前景。
在已有的有机电致发光器件中,有机电致发光器件通常包括依次层叠设置的基板、底电极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和顶电极;其中,空穴传输层的材料为溶液型材料,即空穴传输层通过溶液制程的方式形成;发光层的材料为蒸镀型材料,即发光层通过真空蒸镀的方式形成。
然而,本申请发明人在研发过程中发现,能够用于通过溶液制程的方式形成空穴传输层的材料的能级和发光层的能级匹配性较差,使得空穴传输层中的空穴载流子较难进入发光层中,从而导致有机电致发光器件的发光效率较低。
发明内容
本发明的目的在于提供一种有机电致发光器件,用于提高有机电致发光器件的发光效率。
为了实现上述目的,本发明的实施例提供如下技术方案:
一种有机电致发光器件,包括空穴传输层和发光层,有机电致发光器件还包括位于所述空穴传输层和所述发光层之间的界面修饰层,所述界面修饰层的材料包括具有空穴传输能力的材料,且所述界面修饰层的能级介于所述空穴传输层的能级和所述发光层的能级之间。
进一步的,所述空穴传输层的材料包括溶液型材料,所述发光层的材料包括蒸镀型材料,所述界面修饰层的具有空穴传输能力的材料包括的蒸镀型材料。
具体地,所述界面修饰层的材料包括N,N'-二苯基-N,N'-二(2-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺,或,N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺,或,4,4-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺],或,N,N'-二苯基-N,N'-双(4-甲基苯基)-4,4'-联苯二胺。
具体地,所述空穴传输层的材料包括:聚3,4-乙撑二氧噻吩与聚苯乙烯磺酸盐的混合物,或,聚噻吩,或,聚苯胺,或,聚吡咯;
所述发光层的材料包括用于发蓝光的发光层、用于发红光的发光层或用于发绿光的发光层;
其中,
所述用于发蓝光的发光层的主体材料包括:3-叔丁基-9,10-二(2-萘)蒽,或,9,10-双(1-萘基)蒽,或,4,4'-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1'-联苯,或,1,3,6,8-四(苯)芘,或,9,9'-螺二芴,或,4,4’-二(9-咔唑)联苯,或,3,3’-二(N-咔唑基)-1,1’-联苯;
所述用于发蓝光的发光层的客体材料包括:2,5,8,11-四叔丁基苝,或,4,4’-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1’-联苯,或,4,4'-[1,4-亚苯基二-(1E)-2,1-乙烯二基]二[N,N-二苯基苯胺];
所述用于发蓝光的发光层中主体材料的百分比为99~93%,客体材料的百分比为1~7%。
所述用于发红光的发光层的材料包括:4,4'-双(N-咔唑)-1,1'-联苯掺杂5,6,11,12-四苯基并四苯,或,聚9,9-二辛基芴高分子掺杂三[1-苯基异喹啉-C2,N]铱(III),或,聚芴-alt-咔唑高分子掺杂三[1-苯基异喹啉-C2,N]铱(III),或,聚9,9-二辛基芴高分子掺杂5,6,11,12-四苯基并四苯,或,聚芴-alt-咔唑高分子掺杂5,6,11,12-四苯基并四苯,或,聚乙烯基吡咯烷酮掺杂三[1-苯基异喹啉-C2,N]铱(III)。
所述用于发绿光的发光层的材料包括:1,3,5-三(溴甲基)苯掺杂N,N'-二甲基喹吖啶酮,或,聚芴-alt-咔唑高分子掺杂三(2-苯基吡啶)合铱,或,聚芴-alt-咔唑高分子掺杂N,N'-二甲基喹吖啶酮,或,聚乙烯基吡咯烷酮掺杂三(2-苯基吡啶)合铱。
进一步地,所述有机电致发光器件还包括:空穴注入层、电子传输层和电子注入层中的一层或多层。
进一步地,所述界面修饰层的厚度为0.5-5nm。
具体地,所述界面修饰层的厚度为1nm。
进一步地,所述有机电致发光器件为底发射有机电致发光器件,所述有机电致发光器件为底发射有机电致发光器件,所述有机电致发光器件还包括设置于所述发光层远离所述界面修饰层一侧的顶电极,以及设置于所述空穴传输层远离所述界面修饰层一侧的底电极和基板,所述顶电极反射光线,所述底电极透射光线。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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