[发明专利]一种晶体管的评估方法

说明书

本发明公开了一种晶体管的评估方法，该评估方法包括：将周期为T的第一脉冲信号施加在所述晶体管的第一端；在经过至少n个周期之后，对所述晶体管进行电性能测试，以获得第一参数，其中，n为大于或等于1的正整数；根据对所述晶体管初始参数和所述第一参数进行比较，以评估所述晶体管的可靠性。本发明能够快速的评估晶体管的可靠性，缩短工艺开发周期，实现在量产过程中对每个晶体管晶圆进行可靠性监控。

技术领域

本发明涉及半导体技术，尤其涉及一种晶体管的评估方法。

背景技术

晶体管是一种半导体器件，被广泛用于集成电路的开关电路和放大电路中。随着集成电路技术的持续发展，芯片要求更快的速度，那么相应的也对芯片中晶体管的性能提出了更高的要求。基于晶体管性能的提高，在晶体管的工艺开发和量产过程中，需要对其持续进行监控和可靠性测试，以保证生产合格的晶体管。

现有技术中，晶体管可靠性测试项目主要包括热载流子(hot carrierinjection，HCI)测试，栅氧化层可靠性(Gate Oxide Integrity，GOI)测试，时间相关电介质击穿(time dependent dielectric breakdown，TDDB)测试，阈值电压稳定性(Vtstability)测试等。在晶体管的工艺开发过程中，只有可靠性测试项目全部测试通过，才能说明该工艺可以进入量产阶段。然而现有技术中，对晶体管的可靠性测试项目需要花费非常长的时间，对于工艺开发周期影响很大。

而当晶体管进入量产阶段后，需要定期抽样进行可靠性测试来监控生产线的稳定性，由于测试时间较长，现有的可靠性测试方法不能快速反应生产线状态,当发现问题时，可能已经有很多产品过站。此外，现有的测试方法为抽样测试，并无法监控每一片晶体管晶圆的可靠性，只能反应生产线上长期的连续的变异，如果出现随机的变异，很难监控。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种晶体管的评估方法，能够快速的评估晶体管的可靠性，缩短工艺开发周期。

本发明提供了一种晶体管的评估方法，包括：

将周期为T的第一脉冲信号施加在所述晶体管的第一端；

在经过至少n个周期之后，对所述晶体管进行电性能测试，以获得第一参数，其中，n为大于或等于1的正整数；

根据对所述晶体管的初始参数和所述第一参数进行比较，以评估所述晶体管的可靠性。

进一步的，所述晶体管的第一端为所述晶体管的栅极或漏极。

进一步的，所述晶体管的评估方法还包括：

将周期为T的第二脉冲信号施加在所述晶体管的第二端；

在经过至少n个周期之后，对所述晶体管进行电性能测试，以获得第二参数，其中，n为大于或等于1的正整数；

根据对所述晶体管的初始参数和所述第二参数进行比较，以评估所述晶体管的可靠性。

进一步的，所述晶体管的第二端为所述晶体管的漏极或栅极。

进一步的，所述T的周期宽度为脉冲宽度T1和空白宽度T2。

进一步的，所述T的周期宽度还包括上升沿宽度T3和下降沿宽度T4。

进一步的，所述脉冲宽度T1和所述空白宽度T2相同；所述上升沿宽度T3和所述下降沿宽度T4相同。

进一步的，所述n具体为：规定的标准晶体管在使用寿命期间进行开/断的总次数。